时间：2025/9/3 21:42:00
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JCS8N65FB-O-F-N-B 是一款由 Jiecheng Semiconductor（捷成半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，适用于各种电源管理和功率转换应用。该器件封装在高性能的 TO-220 封装中，具有良好的散热性能和稳定性。JCS8N65FB-O-F-N-B 特别适用于需要高效率和高可靠性的工业和消费类电子产品。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：典型值 0.85Ω @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：50W
JCS8N65FB-O-F-N-B 采用先进的沟槽式 MOS 技术，使其在导通状态下的电阻较低，从而降低了功率损耗并提高了效率。
该器件具有高达 650V 的漏源电压额定值，适用于高电压应用场景，如开关电源（SMPS）、马达驱动和 DC-DC 转换器。
其栅源电压为 ±20V，具备良好的栅极保护功能，确保在各种工作条件下 MOSFET 的稳定性。
最大连续漏极电流为 8A，支持较高负载电流，适用于需要较高功率输出的设计。
TO-220 封装提供了良好的散热能力，确保在高温环境下仍能保持稳定工作。
此外，该器件具有优异的热稳定性和短路保护能力，适用于要求高可靠性的系统设计。
JCS8N65FB-O-F-N-B 广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、电池充电器、LED 照明驱动电路、DC-DC 转换器、马达控制电路以及各种工业自动化和消费类电子产品。
由于其高电压和大电流能力，该 MOSFET 非常适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。
在电源管理系统中，该器件可作为主开关元件，实现高效的能量转换和控制。
同时，其良好的散热设计和稳定性也使其适用于长时间运行的工业设备和自动化控制系统。
常见的替代型号包括：STP8NK60ZFP、IRF8N65CFD、FQP8N65C、SiHP8N65CFD、TK8A65W、UTC8N65。
