您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 1N5934B

1N5934B 发布时间 时间:2025/6/19 1:18:02 查看 阅读:4

1N5934B是一种常见的硅雪崩整流二极管,具有良好的反向电压承受能力和快速开关特性。这种二极管广泛应用于过压保护、电源电路中的整流以及高频开关电路中。
  该器件的工作原理基于雪崩击穿效应,能够在较高的反向电压下保持稳定工作,并且具备较低的正向压降和快速恢复时间,使其适合于多种工业和消费类电子产品。

参数

最大反向电压:600V
  正向电流(IF):1A
  峰值脉冲电流:8A
  正向电压(VF,@1A):1.1V
  结电容(Cj):20pF
  反向恢复时间(trr):50ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:DO-41

特性

1N5934B采用硅材料制造,具备以下主要特点:
  1. 高反向电压耐受能力,适合高压应用环境。
  2. 快速反向恢复时间,能够有效降低开关损耗。
  3. 较低的正向导通压降,提高效率并减少发热。
  4. 良好的热稳定性,在极端温度条件下依然能保持可靠性能。
  5. 结构紧凑,适用于表面贴装和通孔安装,方便设计灵活选择。
  此外,1N5934B在高频整流、限幅保护和逆变器等场景中有优异表现。

应用

1N5934B常用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流电路。
  2. 过压保护电路,如雷击浪涌保护。
  3. 高频逆变器和转换器中的关键元件。
  4. 工业控制设备中的信号隔离与保护。
  5. 通信设备中的瞬态电压抑制。
  由于其高耐压特性和快速响应速度,这款二极管特别适合需要高可靠性的应用场景。

替代型号

1N5934
  1N5935B
  1N5936B

1N5934B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

1N5934B资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

1N5934B参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)24V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 18.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大3W
  • 阻抗(最大)(Zzt)19 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C