类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :290pF @ 15V
功率 - 最大:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-SSOT, SuperSOT-6
包装:带卷 (TR)