IR2C07 时间：2025/8/28 8:38:20 阅读：27

IR2C07 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的功率转换应用设计。该器件属于 OptiMOS? 系列，采用了先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能。IR2C07 主要用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用。其封装形式通常为小型化的 PG-TDSON-8（表面贴装封装），适用于空间受限的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PG-TDSON-8

特性

IR2C07 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用了英飞凌的 OptiMOS? 技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能。其 7.8mΩ 的 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高电流、高频工作的电源转换电路。该器件的栅极电荷（Qg）仅为 9.5nC，有助于降低开关损耗，提高整体能效。
　　IR2C07 采用 PG-TDSON-8 封装，尺寸紧凑，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持较低的结温。此外，该 MOSFET 支持高达 12A 的连续漏极电流，适用于中等功率的负载开关、DC-DC 转换器、同步整流器以及电机控制电路。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有良好的热稳定性，适用于各种工业级和汽车级应用环境。IR2C07 的栅极驱动电压范围较宽，一般为 4.5V 至 20V，兼容多种驱动器和控制器的设计需求。此外，其具备良好的短路耐受能力和抗过载能力，增强了系统的可靠性。
　　IR2C07 在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，有助于减少高频开关过程中产生的噪声，适用于对电磁兼容性要求较高的应用。其优异的热性能和低导通电阻使其在同步整流、负载开关和电机控制等应用中表现出色。