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BU4223FVE-TR 发布时间 时间:2025/11/8 6:16:58 查看 阅读:14

BU4223FVE-TR是一款由罗姆(ROHM)半导体公司生产的低电压、低功耗运算放大器,专为便携式电子设备和电池供电系统设计。该器件采用高增益、低输入偏置电流的CMOS工艺制造,具备出色的直流和交流性能,适用于对功耗敏感且需要高精度信号处理的应用场景。BU42223FVE-TR采用紧凑的SMT封装形式——SSOP-B8(小外形封装),便于在高密度PCB布局中使用,同时支持回流焊工艺,适合自动化生产流程。该运放能够在宽电源电压范围内工作(1.8V至5.5V),使其兼容多种低压逻辑系统,如3.3V或5V供电环境下的传感器接口、音频前置放大、数据采集系统等。其内部结构经过优化设计,具备良好的相位裕度和稳定性,即使在驱动容性负载时也能保持可靠运行。此外,该器件具有轨到轨输入与输出(Rail-to-Rail I/O)能力,能够最大限度地利用电源电压范围进行信号放大,提高动态范围和信噪比表现。由于其低静态电流特性(典型值约为60μA/通道),BU4223FVE-TR非常适合用于长时间运行的便携设备,例如可穿戴设备、医疗监测仪器、环境传感器节点以及物联网终端设备。产品符合RoHS环保标准,并通过了工业级温度范围(-40°C至+85°C)的严格测试,确保在各种恶劣环境下仍能稳定工作。

参数

型号:BU4223FVE-TR
  制造商:ROHM Semiconductor
  器件类型:运算放大器(Op-Amp)
  通道数:2(双通道)
  电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  静态电流:约 60μA/通道(典型值)
  增益带宽积(GBW):250kHz(典型值)
  输入失调电压:±3mV(最大值)
  输入偏置电流:0.1pA(典型值)
  压摆率(Slew Rate):0.12V/μs(典型值)
  共模抑制比(CMRR):70dB(典型值)
  电源抑制比(PSRR):70dB(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SSOP-B8(8引脚小外形封装)
  安装方式:表面贴装(SMT)
  输出类型:轨到轨输出(Rail-to-Rail Output)
  输入类型:支持轨到轨输入
  单位增益稳定:是
  ESD耐受能力:HBM 模式下 ±4kV

特性

BU4223FVE-TR具备多项优异的电气与物理特性,使其成为低功耗精密模拟信号调理应用的理想选择。首先,该器件采用CMOS输入级设计,拥有极低的输入偏置电流(典型值仅为0.1pA),这在处理高阻抗信号源(如生物电极、光电二极管或pH传感器)时至关重要,能有效减少因输入电流引起的误差和漂移,从而提升测量精度。其次,其轨到轨输入与输出结构允许信号在整个供电范围内进行放大和处理,显著提高了可用动态范围,尤其在单电源低电压系统中表现出色。例如,在3.3V供电下,输入可接近0V和VDD,输出亦能驱动至接近电源轨的水平,避免传统运放常见的“削波”问题。
  该运放的低功耗特性尤为突出,每个通道的静态电流仅约60μA,使得整体功耗控制极为出色,适用于由电池长期供电的嵌入式系统。结合其单位增益稳定的设计,用户可在电压跟随器、同相/反相放大器、有源滤波器等多种配置中灵活使用而无需额外补偿。其增益带宽积为250kHz,虽不属于高速运放范畴,但足以应对大多数低频信号处理任务,如温度传感、压力检测、心率监测等。压摆率为0.12V/μs,适合处理缓慢变化的模拟信号,不会引入明显失真。
  在抗干扰能力方面,BU4223FVE-TR具备70dB的共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR),能够在存在噪声或电源波动的环境中维持稳定的放大性能。内部相位补偿机制确保了在广泛负载条件下的稳定性,即使驱动数百皮法的容性负载也能保持良好响应。此外,该器件的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,满足工业级应用要求,适用于户外传感器、工业控制系统及汽车电子外围模块。封装采用标准SSOP-8,引脚间距为0.65mm,兼容主流贴片工艺,便于自动化生产和维修替换。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性,是中小型模拟前端电路中的优选方案。

应用

BU4223FVE-TR广泛应用于各类低功耗、高精度的模拟信号处理系统中。典型应用场景包括便携式医疗设备,如血糖仪、脉搏血氧计和心电图(ECG)前置放大电路,其中需要处理微弱生理信号并保持长时间电池续航。其低输入偏置电流和轨到轨特性可有效提升传感器接口的灵敏度与动态范围。在工业自动化领域,该器件常用于各类传感器信号调理,例如压力、温度、湿度和气体传感器的放大与滤波电路,特别是在4-20mA环路供电或无线传感节点中发挥关键作用。消费类电子产品中,BU4223FVE-TR可用于音频前置放大、触摸屏控制器的模拟前端、智能手机中的环境光感应模块等。物联网(IoT)设备也大量采用此类低功耗运放,用于连接各类MEMS传感器并实现本地信号预处理,降低主控MCU的负担。此外,该芯片还可用于电池管理系统(BMS)中的电压采样放大、手持式测试仪器、智能仪表以及智能家居传感器节点。得益于其工业级温度适应性和高可靠性,BU4223FVE-TR同样适用于车载电子辅助系统、远程监控装置和农业环境监测设备。总之,任何需要在有限电源条件下实现稳定、精确模拟信号放大的场合,都是该器件的理想应用领域。

替代型号

[
   "MCP6002-I/SL",
   "LMV358IDGKR",
   "TSV912IYXT",
   "NCS20072DR2G"
  ]

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BU4223FVE-TR参数

  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 监控器
  • 系列-
  • 类型简单复位/加电复位
  • 监视电压数目1
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位低有效
  • 复位超时可调节/可选择
  • 电压 - 阀值2.3V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-665
  • 供应商设备封装5-VSOF
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称BU4223FVEDKR