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TC58NVG2S3ETAI0 发布时间 时间:2025/4/29 15:31:02 查看 阅读:1

TC58NVG2S3ETAI0是东芝(Toshiba)生产的一款NAND闪存芯片,采用MLC(多层单元)技术。该芯片主要应用于需要大容量存储的嵌入式系统、消费类电子设备和工业设备中。其高可靠性和耐用性使其成为许多数据密集型应用的理想选择,例如固态硬盘(SSD)、USB驱动器、记忆卡以及网络存储设备等。
  该型号支持高速接口和先进的错误校正功能,能够有效提升数据传输速度并确保数据完整性。

参数

存储容量:128Gbit
  存储类型:MLC NAND Flash
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V
  封装形式:BGA
  引脚数:169
  数据传输速率:最高200MB/s
  擦写寿命:约3000次
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据保持时间:超过10年

特性

TC58NVG2S3ETAI0具有较高的存储密度和低功耗特点,适用于对存储性能要求较高的场合。
  1. 使用MLC技术,能够在每个存储单元保存2位数据,提供更高的存储容量。
  2. 支持Toggle Mode 2.0接口协议,可实现更快的数据传输速度,适合需要高性能的应用场景。
  3. 内置ECC(Error Correction Code)引擎,增强了数据的可靠性,并能自动检测和修复数据错误。
  4. 提供广泛的温度范围选项,满足工业级和消费级应用需求。
  5. 封装形式为BGA,有助于减小电路板空间占用,同时提高信号完整性和散热性能。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式存储解决方案,如汽车电子、工业控制和医疗设备。
  2. 消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑和数码相机。
  3. 存储卡和U盘等便携式存储设备。
  4. 固态硬盘(SSD),用于台式机、笔记本电脑和其他计算设备。
  5. 网络存储和数据中心应用,提供高效的数据存储和管理能力。

替代型号

TC58NVG2S3FTAII0, TC58NVG2S3HTAI0

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TC58NVG2S3ETAI0参数

  • 单元类型NAND
  • 块组织对称
  • 字组数目512M
  • 存储器大小4Gbit
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度12.4mm
  • 封装类型TSOP
  • 尺寸18.4 x 12.4 x 1mm
  • 引脚数目48
  • 接口类型并行
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大工作电源电压4.6 V
  • 最小工作电源电压-0.6 V
  • 最长随机存取时间25ns
  • 最高工作温度+85 °C
  • 每字组的位元数目8bit
  • 组织512M x 8
  • 长度18.4mm
  • 高度1mm