时间：2025/6/22 10:49:56
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BSO615N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：15A
导通电阻：0.07Ω
功耗：135W
工作结温范围：-55℃至175℃
BSO615N具备低导通电阻特性，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其较高的漏极电流能力使其能够胜任多种高功率应用需求。
该器件的工作结温范围宽广，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于工业级及汽车级应用场景。
此外，BSO615N还具备快速开关速度，可显著降低开关损耗，提高整体系统效率。
该MOSFET适用于多种领域，包括但不限于开关电源中的主开关管、同步整流电路中的整流管、DC-DC转换器中的功率开关、电池管理系统中的负载开关以及各类电机驱动电路中的功率控制元件。其高性能表现使其成为许多高要求应用的理想选择。
IRFZ44N
STP16NF06
IXYP10N50C
