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AUIRFR5305TRL 发布时间 时间:2025/6/6 17:16:31 查看 阅读:4

AUIRFR5305TRL是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为汽车级应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种汽车电子系统中的功率转换和电机驱动场景。
  此型号符合AEC-Q101标准,确保其在极端温度和振动条件下的可靠性,同时提供卓越的电气性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关频率:高达1MHz
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-263

特性

AUIRFR5305TRL具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有效降低功率损耗。
  2. 高效率的开关能力,适合高频应用。
  3. 采用D2PAK封装,提供良好的散热性能。
  4. 符合汽车级标准,具备更高的可靠性和耐久性。
  5. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力。
  6. 支持宽泛的工作温度范围,适应恶劣环境下的使用需求。
  7. 短路保护功能,提高系统的安全性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子控制单元(ECU)中的功率管理模块。
  2. 车载电机驱动电路,例如电动车窗、座椅调节和雨刷系统。
  3. 开关电源和DC-DC转换器,用于稳定车载电压输出。
  4. LED驱动电路,特别是在需要高效能和小尺寸解决方案的情况下。
  5. 各种工业设备中的功率开关元件。

替代型号

IRFR5305TRPBF, AUIRF5305TRLPBF

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AUIRFR5305TRL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)