时间:2025/12/28 11:00:08
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SWRH4D18S-220MT是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用先进的平面技术制造,专为高频、高效率的开关应用而设计。该器件封装在紧凑的PowerFLAT 1.6x1.6mm封装中,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,使其非常适合用于电源管理电路、DC-DC转换器、续流与箝位应用等场合。其结构优化了热性能和电气性能,在有限的空间内提供了出色的功率处理能力。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的可靠性和稳定性,适用于便携式电子设备、通信系统以及工业控制设备中的整流与保护电路。由于其小型化封装和高性能特性,SWRH4D18S-220MT在现代高密度PCB布局中表现出色,能够有效节省电路板空间并提升整体系统效率。
型号:SWRH4D18S-220MT
类型:肖特基势垒二极管
封装形式:PowerFLAT 1.6x1.6
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
峰值重复反向电压(VRRM):20V
平均整流电流(IO):1A
正向压降(VF):典型值450mV(在1A时)
最大正向压降(VF):600mV(在1A, TJ=25°C)
反向漏电流(IR):最大200μA(在20V时)
反向恢复时间(trr):≤15ns
热阻(RthJL):约45 K/W
结温(Tj):最高+150°C
焊接温度(峰值):300°C(每JEDEC J-STD-020)
SWRH4D18S-220MT的核心优势在于其卓越的开关速度与低功耗表现。得益于肖特基势垒结构的设计,该二极管实现了极短的反向恢复时间(trr ≤ 15ns),显著降低了开关过程中的能量损耗,从而提升了整个电源系统的转换效率。这一点在高频DC-DC变换器中尤为重要,因为传统PN结二极管在高速切换下会产生较大的反向恢复电荷,导致额外的动态损耗和电磁干扰问题。而SWRH4D18S-220MT几乎不存在少数载流子存储效应,因此能实现近乎理想的单向导电行为。
该器件的正向压降低至典型值450mV(1A时),相比常规硅整流二极管(通常为700mV以上)大幅减少了导通期间的I2R损耗。这种低VF特性不仅有助于提高能效,还能减少热量积聚,延长系统寿命。同时,其最大额定结温达到+150°C,结合PowerFLAT封装良好的散热性能,确保了在高负载或高温环境下仍能稳定运行。
PowerFLAT 1.6x1.6封装具有小尺寸、薄型化和优异的热机械可靠性,适合自动化贴片工艺,支持回流焊加工,并具备较高的爬电距离和抗振动能力。该封装底部设有散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导出去,进一步增强热管理效果。此外,该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于对可靠性要求严苛的汽车电子系统。
Vishay在制造过程中采用了严格的品质控制流程,保证了产品的一致性和长期可用性。SWRH4D18S-220MT还具备较低的寄生电感和电容,有利于抑制高频噪声,改善EMI性能。综合来看,这款二极管是追求高效、小型化和高可靠性的现代电源设计中的理想选择之一。
SWRH4D18S-220MT广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的同步降压转换器续流二极管;在此类设备中,电池供电效率至关重要,使用低VF肖特基二极管可显著延长续航时间。此外,它也常用于笔记本电脑主板、USB PD充电模块以及小型电源适配器中的DC-DC转换电路,作为输出整流或反向隔离元件。
在通信设备领域,该器件可用于基站电源模块、光模块内部电源管理和FPGA供电电路中,提供快速响应和稳定的电压路径。工业控制系统中的传感器供电、PLC模块及嵌入式控制器同样受益于其高效率和紧凑封装的优势。
汽车电子方面,尽管该型号主要面向通用市场,但在非动力总成类应用如车载信息娱乐系统、ADAS辅助模块电源、LED照明驱动等领域也有潜在用途。尤其是在启停系统或低压电源轨中,其快速响应能力和耐温性能表现出色。
此外,SWRH4D18S-220MT还可用于太阳能充电控制器、便携式医疗设备和物联网终端节点等对空间和能耗敏感的应用场景。总之,任何需要在有限空间内实现高效能量转换的场合,都是该器件发挥优势的理想环境。
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