类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：30V
　　最大源极电压（VS）：-12V
　　最大连续漏极电流（ID）：75A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：300A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤4.5mΩ（当VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V~2.5V（ID=250μA时）
　　最大功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

KAC3304DU具有多项优异的电气与热性能，适合高效率、高功率密度的应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）确保在大电流工作条件下损耗最小化，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。KAC3304DU的栅极驱动电压范围宽广，可在4.5V至20V之间正常工作，支持逻辑电平驱动，适用于多种控制电路架构。
　　该器件还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在极端负载条件下保持可靠运行。其TO-252封装形式具有优良的散热性能，适合表面贴装工艺，便于集成于紧凑型电路设计中。KAC3304DU在制造过程中符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备的开发。

KAC3304DU广泛应用于各类电力电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块、工业自动化控制系统以及便携式电子设备的电源开关等。其高电流承载能力和低导通损耗也使其成为电动工具、无人机、电动车等高性能动力系统中的理想选择。

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