时间：2025/7/22 23:25:45
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18N10是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及功率转换领域。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的导热性和电气性能，适用于多种工业和消费类电子设备。18N10以其高效率、低导通电阻及快速开关特性而受到设计工程师的青睐。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：18A
漏源击穿电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.095Ω（典型值）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
18N10 MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流负载的应用场景。其次，该器件的最大漏极电流为18A，漏源电压为100V，能够满足多种中高功率需求。此外，18N10具备快速开关能力，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高电源转换效率。
在热管理方面，18N10采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片或PCB板，确保器件在高负载条件下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于多种恶劣环境条件。
18N10还具有较高的栅极驱动兼容性，支持常见的驱动电压（如5V、10V、12V等），便于与各种控制电路（如微控制器、PWM控制器等）配合使用。此外，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更高的安全裕量，防止栅极氧化层击穿，从而提升器件的可靠性和使用寿命。
综合来看，18N10是一款性能优异、应用广泛的功率MOSFET，适用于多种需要高效、稳定功率控制的电子系统。
18N10常用于电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC适配器）、电机驱动、电池管理系统、开关电源、LED驱动器以及各类工业自动化设备。其高效率和低导通电阻特性也使其适用于逆变器、UPS（不间断电源）以及功率因数校正（PFC）电路。
IRF1404, STP18NF10, FDP18N10, FQP18N10
