类型：N沟道MOSFET
　　封装：TO-247
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on) max）：0.24Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 5.0V
　　栅极电荷（Qg）：180nC typical
　　输入电容（Ciss）：3300pF @ Vds=25V
　　功耗（Pd）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C to +150°C

CM50E3Y-24的突出特性之一是其低导通电阻，在Vgs=10V条件下Rds(on)最大仅为0.24Ω，这一参数显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。特别是在大电流应用中，如电机驱动或开关电源，这种低Rds(on)特性可有效减少发热，降低对散热系统的要求，从而节省成本并提升系统可靠性。此外，该MOSFET采用了先进的平面栅极技术，确保了稳定的电气特性和较长的使用寿命。
　　另一个关键特性是其高耐压能力，最大漏源电压可达600V，使其适用于高压直流母线系统中的开关操作。例如，在AC-DC转换器或逆变器中，600V的耐压裕度能够应对电网波动和瞬态过压情况，提高了系统的安全性和稳定性。同时，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，增强了在严苛工业环境下的鲁棒性。
　　CM50E3Y-24还具备良好的热性能，TO-247封装不仅提供了较大的焊接触面以利于散热，而且其内部结构优化了热阻路径，使得从结到外壳的热阻（Rth(j-c)）较低，有助于将热量迅速传导至散热器。这在持续高负载运行的应用中尤为重要，可以有效防止因温度过高而导致的性能下降或器件失效。
　　此外，该器件具有适中的栅极电荷（Qg=180nC），在保证快速开关速度的同时，不会对驱动电路造成过高的电流负担。这意味着可以使用标准的MOSFET驱动器进行控制，而无需复杂的预驱电路，简化了设计流程并降低了系统复杂度。同时，其输入电容（Ciss）为3300pF，在高频开关应用中表现良好，有助于减少开关延迟和交叉导通风险。
　　最后，CM50E3Y-24的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，支持极端环境下的可靠运行，适用于户外设备、工业自动化及高温工业炉控制系统等场景。综合来看，该器件在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中高功率开关应用的理想选择之一。

CM50E3Y-24广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的开关电源设计中发挥重要作用。一个典型应用是在离线式开关电源（SMPS）中作为主开关管使用，尤其是在反激式或正激式拓扑结构中，其600V的耐压能力和低导通电阻能够有效处理来自整流后高压直流总线的电压，并实现高效的能量传递。由于这类电源常见于服务器电源、通信设备电源模块和工业控制电源中，因此CM50E3Y-24在这些领域有广泛应用。
　　在电机控制领域，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上桥臂或下桥臂的开关元件。其50A的额定电流能力足以支持较大功率电机的启动与运行，而快速的开关特性则有助于实现精确的PWM调速控制。此外，在电动汽车充电设备、电动叉车或自动化生产线上的伺服驱动器中，CM50E3Y-24也常被用作功率开关，提供稳定的电流切换能力。
　　在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是升降压（Buck-Boost）拓扑，CM50E3Y-24都能胜任主开关角色。特别是在高输入电压环境下，如太阳能逆变器前端或储能系统中，其600V耐压和良好的热管理能力显得尤为关键。通过高频开关操作，它可以实现紧凑化设计并提高转换效率。
　　此外，该器件还适用于不间断电源（UPS）系统中的逆变电路，负责将电池侧的直流电转换为交流输出。在此类应用中，器件需要频繁地进行高速开关动作，同时承受较大的电流冲击，CM50E3Y-24凭借其优异的动态特性和热稳定性，能够长期稳定运行。
　　其他潜在应用还包括感应加热设备、电焊机电源、LED驱动电源以及工业加热控制系统等。总之，凡是涉及中高功率、高压、高效率开关操作的场合，CM50E3Y-24都是一种值得信赖的功率器件选择。

IXFH50N60P3
　　STGF5NC60SD
　　FGL50N60SMD
　　IRFP460LC
　　TK50A60U