型号：ASM810MEURF-T
　　制造商：Advanced Semiconductor Materials (ASM)
　　封装类型：DFN/TSOT-23（具体以数据手册为准）
　　工作电压范围：2.0V ~ 6.0V
　　复位阈值电压：典型值4.0V（可根据具体后缀变体调整）
　　复位延迟时间：典型100ms（内置延迟电路）
　　静态电流：≤ 5μA（低功耗模式下）
　　输出电流能力（LDO）：最高150mA
　　LDO输出电压：固定1.8V/2.5V/3.3V等可选版本
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　引脚数量：5或6引脚
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　集成功能：上电复位、电压监控、LDO稳压、手动复位输入

ASM810MEURF-T具备高度集成的电源管理功能，集成了高精度电压检测电路与低噪声LDO稳压器，能够在输入电压波动或系统启动过程中提供可靠的复位信号，防止微控制器因供电不稳定而发生误操作或死机现象。其内置的电压基准源具有±1%的高精度，确保复位阈值在全温范围内保持稳定，避免因温度变化导致误触发。该芯片的复位延迟时间由内部定时电路自动控制，典型值为100ms，无需外接电容即可实现稳定的延时复位功能，简化了外围设计并节省PCB空间。此外，器件支持手动复位输入，用户可通过连接外部按键实现系统强制重启，提升了系统维护与调试的便利性。
　　在功耗方面，ASM810MEURF-T表现出优异的节能特性，静态电流低至5μA以下，非常适合电池供电或待机功耗敏感的应用场景。其LDO部分采用低 dropout 设计，压差仅为200mV左右，在低输入电压条件下仍能维持稳定输出，提高了能源利用效率。同时，LDO具备过流保护和过热关断功能，有效防止异常工况下的器件损坏。芯片采用小型化封装，如DFN-6或TSOT-23-6，极大地节约了板级空间，适合高密度集成设计。所有IO端口均具备高等级ESD防护（HBM模型≥4kV），增强了抗静电能力，提升产品在复杂电磁环境中的可靠性。整体而言，ASM810MEURF-T是一款兼顾性能、集成度与可靠性的电源管理解决方案，特别适用于对稳定性要求严苛的嵌入式控制系统。

ASM810MEURF-T广泛应用于各类需要稳定电源管理和可靠复位机制的电子系统中。典型应用包括便携式医疗设备（如血糖仪、体温计）、智能家居终端（如无线传感器节点、智能门锁）、工业自动化控制器、消费类电子产品（如TWS耳机充电仓、智能手表）以及物联网（IoT）边缘设备。在这些系统中，微控制器的正常启动和运行依赖于干净且持续的电源供应，而ASM810MEURF-T能够确保在电源上电、掉电或电压跌落时及时产生复位信号，避免MCU进入不可控状态。其集成的LDO可为MCU核心电路或传感器提供独立的低噪声电源轨，减少来自主电源的干扰。此外，在电池供电设备中，其超低静态功耗有助于延长续航时间，提高能效表现。该芯片也常用于需要手动复位功能的产品设计中，例如工业面板上的“重启”按钮可通过MR引脚接入芯片，实现用户可控的系统重置。由于其宽工作电压范围和良好的温度适应性，ASM810MEURF-T可在多种环境条件下稳定运行，是中小型嵌入式系统中理想的电源监控与稳压一体化解决方案。

XC61FC40BNR-G