KTC2825D-RTF/PW 时间：2025/12/28 14:59:38 阅读：18

KTC2825D-RTF/PW 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于高频率开关操作。该型号通常封装在 TSSOP（Thin Shrink Small Outline Package）中，便于在紧凑型电路板设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：最大 28mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8
　　功耗(Pd)：1.5W

特性

KTC2825D-RTF/PW 具备多项优异特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。典型值为 28mΩ 的 Rds(on)，在 Vgs=4.5V 下工作时，能够支持较大的电流通过而不会产生过大的压降和热量。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 4A 的连续漏极电流，适用于需要较高功率输出的应用场景。同时，其 20V 的漏源电压额定值使其能够在中低电压电源系统中稳定运行，例如锂电池供电设备、便携式电子产品、DC-DC 转换器等。
　　此外，KTC2825D-RTF/PW 采用 TSSOP 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的设计。该封装也支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和提高装配效率。
　　其栅源电压额定值为 ±12V，具备较好的栅极保护能力，避免因过高的栅极电压导致器件损坏。同时，该器件的工作温度范围较宽，可在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场合。

应用

KTC2825D-RTF/PW 广泛应用于多个电子系统中，主要包括以下领域：
　　1. **电源管理**：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，用于高效能、小型化的电源模块设计。
　　2. **便携式设备**：包括智能手机、平板电脑、移动电源等，利用其低导通电阻和小封装优势，提升电池效率和续航能力。
　　3. **电机驱动与负载控制**：用于小型电机、风扇、继电器等负载的开关控制，具备较高的可靠性和效率。
　　4. **电池管理系统**：在电池充放电保护电路中作为主控开关使用，确保电池安全运行。
　　5. **工业控制与汽车电子**：适用于对温度和可靠性要求较高的工业设备及车载电子产品中。