时间：2025/7/9 20:49:50
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GRT1555C1H561FA02D 是一款高性能的功率 MOSFET，属于沟道型 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于各种电源管理应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），从而提高了安装效率并减少了空间占用。
该型号专为需要高效能和高可靠性的电路设计而开发，广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：48A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
总功耗(Ptot)：39W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
栅极电荷(Qg)：11nC
GRT1555C1H561FA02D 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 4.5 毫欧，这使得器件在大电流应用中能够显著降低功耗。
2. 高速开关能力，得益于小的栅极电荷 Qg 和优化的内部结构，可以实现快速的开关转换。
3. 出色的热稳定性，能够在高达 175°C 的高温环境下稳定运行。
4. 具备强大的抗浪涌电流能力，可承受瞬时过载情况。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，满足现代电子产品对环保的要求。
6. 支持表面贴装技术，简化了生产工艺并提高了装配效率。
GRT1555C1H561FA02D 被广泛应用于多种场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各种逆变器和 UPS 系统的关键组件。
6. 汽车电子中的车身控制系统和电动助力转向等应用。
IRFZ44N
AO3400
FDP5800
