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GRT1555C1H561FA02D 发布时间 时间:2025/7/9 20:49:50 查看 阅读:4

GRT1555C1H561FA02D 是一款高性能的功率 MOSFET,属于沟道型 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于各种电源管理应用。其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),从而提高了安装效率并减少了空间占用。
  该型号专为需要高效能和高可靠性的电路设计而开发,广泛应用于消费电子、工业设备以及通信领域。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  封装:TO-252 (DPAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):48A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  总功耗(Ptot):39W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  栅极电荷(Qg):11nC

特性

GRT1555C1H561FA02D 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 4.5 毫欧,这使得器件在大电流应用中能够显著降低功耗。
  2. 高速开关能力,得益于小的栅极电荷 Qg 和优化的内部结构,可以实现快速的开关转换。
  3. 出色的热稳定性,能够在高达 175°C 的高温环境下稳定运行。
  4. 具备强大的抗浪涌电流能力,可承受瞬时过载情况。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计,满足现代电子产品对环保的要求。
  6. 支持表面贴装技术,简化了生产工艺并提高了装配效率。

应用

GRT1555C1H561FA02D 被广泛应用于多种场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池保护系统中的负载开关。
  5. 各种逆变器和 UPS 系统的关键组件。
  6. 汽车电子中的车身控制系统和电动助力转向等应用。

替代型号

IRFZ44N
  AO3400
  FDP5800

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GRT1555C1H561FA02D参数

  • 现有数量13,644现货
  • 价格1 : ¥0.79000剪切带(CT)10,000 : ¥0.07250卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容560 pF
  • 容差±1%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-