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ZXMC3A16DN8TC 发布时间 时间:2025/6/20 22:38:01 查看 阅读:2

ZXMC3A16DN8TC 是一款基于 CMOS 工艺制造的 16Mb(兆位)串行 NOR Flash 存储器。该芯片采用小尺寸封装设计,支持高速数据传输和低功耗操作,广泛适用于需要高可靠性和高效能存储解决方案的应用场景。
  其主要功能是为嵌入式系统提供非易失性存储空间,可用于保存程序代码、配置参数以及少量用户数据。它具有出色的耐用性和数据保持能力,能够在恶劣环境下稳定运行。

参数

容量:16Mb
  接口类型:SPI
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:WSON8
  数据保持时间:20 年
  擦写周期:100,000 次
  时钟频率:最高 104MHz
  待机电流:典型值 1μA

特性

ZXMC3A16DN8TC 提供了卓越的性能表现与灵活性。其支持多种 SPI 模式(如标准 SPI、双 I/O SPI 和四线 SPI),允许用户根据需求选择合适的数据吞吐率。
  此外,该芯片内置了多种保护机制,例如软件写保护和硬件写保护功能,从而防止意外编程或擦除操作对存储内容造成损害。
  为了降低功耗,此器件还集成了深度掉电模式,在这种模式下电流消耗可以降到极低水平,非常适合电池供电设备。
  在安全性方面,ZXMC3A16DN8TC 支持基于 OTP(一次性可编程区域)的唯一 ID 功能,有助于实现个性化定制或加密验证。

应用

该芯片适合用于各类消费电子、工业控制及通信领域中的存储需求。具体包括但不限于以下应用:
  - 嵌入式系统的固件存储
  - IoT 设备中的网络配置信息保存
  - 医疗仪器中的日志记录
  - 家用电器的初始化参数存储
  - 汽车电子中的实时数据缓存
  由于其小巧的封装体积和高效的 SPI 接口速率,特别适合空间受限且要求快速响应的场景。

替代型号

MX25L1606E, W25Q16JVSSIG, AT25DF161

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ZXMC3A16DN8TC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A,4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds796pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMC3A16DN8TC-NDZXMC3A16DN8TCTR