BYT261PIV1000是一种高压硅整流二极管,广泛用于高电压、高电流的整流应用中。这种二极管通常用于电源、充电器、逆变器和各种电力电子设备中,具有高反向电压耐受能力和大电流处理能力。该器件采用TO-220封装,便于散热并适用于各种工业环境。
类型:硅整流二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):1000V
最大平均整流电流(IF(AV)):1A
正向压降(VF):约1.1V(在1A时)
最大反向漏电流(IR):在1000V时通常小于5μA
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
BYT261PIV1000具有高反向电压能力,使其适用于高电压整流应用。其TO-220封装提供了良好的散热性能,能够承受较高的工作电流。此外,该二极管的低正向压降有助于减少功率损耗,提高整流效率。其高可靠性和稳定性使其在工业电源和高压设备中广泛使用。BYT261PIV1000还具有快速恢复时间,适合高频整流应用,同时具备良好的抗浪涌能力,能够在瞬态条件下提供可靠的性能。
BYT261PIV1000主要用于高压整流电路中,如开关电源、充电器、逆变器、电机驱动器和各种工业电源设备。此外,它也可用于需要高反向电压耐受能力的直流电源转换系统。该二极管还可用于电池充电、UPS系统、光伏逆变器和LED照明电源等应用中。
BYT261PIV800, BYT261PIV600, 1N4007