XPC180ELM 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频应用。该器件采用了先进的高压技术,具备优异的导通电阻和开关性能,适用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器、UPS 系统以及各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):8A(在 25°C)
功耗(Pd):150W
导通电阻(Rds(on)):0.22Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220AB
XPC180ELM MOSFET 以其卓越的电气性能和可靠性著称。其高耐压特性(500V Vds)使其非常适合用于高电压环境,例如工业电源系统和不间断电源(UPS)。该器件的低导通电阻(Rds(on))为 0.22Ω,有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。此外,XPC180ELM 的最大连续漏极电流为 8A,在适当的散热条件下可以支持更高功率的应用。其 TO-220AB 封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性,便于安装和使用。
该 MOSFET 还具备出色的热稳定性,可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内工作,适应极端环境下的运行需求。此外,其 ±30V 的栅源电压允许更宽的驱动电压范围,提高了电路设计的灵活性。XPC180ELM 在开关应用中表现出色,具有快速的开关速度和低的开关损耗,使其在高频应用中也能保持良好的性能。
XPC180ELM 主要用于需要高耐压和中等电流的功率电子系统中。常见的应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电机控制电路、UPS 系统、逆变器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源模块。此外,该器件还可用于电池管理系统、LED 照明驱动器以及各种需要高效率功率开关的场合。
IXTP180N10N5、IXFH180N10N5、IRFP460LC、STP8NM50N