类型：碳化硅MOSFET
　　漏源电压(Vds)：650V
　　漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：25mΩ
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-247
　　最大功耗(Pd)：230W

GW6DMC30XFC采用碳化硅材料制造，具有非常优异的材料特性，包括高热导率、高击穿电场强度和高电子饱和漂移速度，使其能够在更高的频率和更高的温度下运行，同时保持良好的效率和稳定性。该器件的导通电阻仅为25mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其最大漏源电压为650V，适用于中高压功率转换应用。漏极电流额定为30A，能够支持较高功率的负载。栅极电压范围为±20V，具有较高的栅极可靠性，适用于多种栅极驱动电路。工作温度范围宽，从-55°C到175°C，适合在恶劣环境中使用。该器件的最大功耗为230W，具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
　　由于采用了碳化硅技术，GW6DMC30XFC在开关过程中具有非常低的开关损耗，从而支持更高的开关频率，减少外部滤波元件的尺寸和成本，提高系统的整体效率和功率密度。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，提升了在过载或故障情况下的系统可靠性。

GW6DMC30XFC广泛应用于高效率电源转换系统，如电动汽车充电器（EV Charger）、车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、工业电源、服务器电源、UPS不间断电源以及电机驱动系统等。其高频率、高效率和高可靠性的特点，使其成为替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择，特别是在对效率和功率密度要求较高的应用中。

SiC MOSFET的替代型号包括英飞凌（Infineon）的IMZA65R027M1H、意法半导体（STMicroelectronics）的SCT30N120、以及安森美半导体（onsemi）的NTHL020N120SC1。