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W947D6HBHX6E TR 发布时间 时间:2025/8/21 3:24:39 查看 阅读:6

W947D6HBHX6E TR 是由 Winbond 公司生产的一款高密度、低功耗、高性能的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其移动DRAM产品系列。这款芯片专为移动设备和便携式电子产品设计,支持高性能数据存储与访问,适用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统以及其他对功耗敏感的应用场景。该芯片采用先进的封装技术,具备较高的稳定性和可靠性。

参数

型号: W947D6HBHX6E TR
  容量: 4Gb
  类型: LPDDR4X
  封装类型: BGA
  工作电压: 1.1V
  数据速率: 4266Mbps
  存储器组织: x16
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  封装尺寸: 8mm x 10mm
  RoHS合规: 是

特性

W947D6HBHX6E TR 作为一款低功耗双倍数据速率第四代扩展(LPDDR4X)DRAM芯片,具备多项先进的性能特点。首先,其低电压设计(1.1V)显著降低了功耗,特别适合电池供电设备,有助于延长设备的使用时间。其次,该芯片的数据速率高达 4266Mbps,能够满足高带宽需求的应用,例如高清视频播放、大型游戏和多任务处理等。此外,其x16架构提供了更高的数据吞吐能力,同时在封装尺寸上保持紧凑(8mm x 10mm),为现代移动设备节省宝贵的PCB空间。
  该芯片还具有良好的热管理和电气性能,能够在较宽的温度范围内(-40°C 至 +85°C)稳定运行,适用于各种复杂的工作环境。为了确保高可靠性,W947D6HBHX6E TR 通过了严格的工业级测试,包括温度循环、高湿度测试和长期稳定性测试。另外,该芯片采用符合RoHS标准的环保材料制造,符合全球电子产品的绿色环保要求。

应用

W947D6HBHX6E TR 主要用于需要高性能、低功耗内存解决方案的移动设备和嵌入式系统。典型应用包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能摄像头、车载信息娱乐系统以及工业控制设备等。其高数据速率和低功耗特性使其非常适合用于处理复杂图形和多任务操作的应用场景。此外,由于其紧凑的封装尺寸和出色的热管理性能,该芯片也广泛应用于对空间和功耗敏感的便携式电子产品中。

替代型号

MT51J48M16A256A B4-6A, K3UH5H50AM-AGC1

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W947D6HBHX6E TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织8M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-VFBGA(8x9)