时间：2025/4/28 12:29:49
阅读：2
SVGP104R1NL5是一款高性能的硅基功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型设计。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种需要高效功率转换的应用场景。其低导通电阻和优化的栅极电荷使其具备出色的效率表现，同时支持高频率操作，减少整体系统尺寸和成本。
型号：SVGP104R1NL5
类型：N沟道MOSFET
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：4mΩ
Id（连续漏极电流）：80A
Qg（总栅极电荷）：26nC
Bvdss（击穿电压）：100V
EAS（雪崩能量）：3.7mJ
Tj（结温范围）：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
SVGP104R1NL5具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为4mΩ，能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 优化的栅极电荷Qg值为26nC，确保了更快的开关速度，从而减少开关损耗。
3. 支持高达100V的工作电压，适合多种高压应用场合。
4. 具备出色的热性能，允许在高温环境下可靠工作，最高结温可达175℃。
5. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
6. 采用标准TO-247封装，便于散热管理及焊接安装。
这些特点使得SVGP104R1NL5成为工业级功率转换应用的理想选择。
SVGP104R1NL5广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 各种DC-DC转换器模块，如升压、降压和反激拓扑结构。
3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)及电机驱动控制。
4. 太阳能逆变器内的功率转换级。
5. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
6. 高效LED驱动器设计中的关键组件。
其高效率、高可靠性和宽泛的工作条件使其非常适合于现代电力电子技术的需求。
SVGP104R1DL5, IRF840, FDP16N10
