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IS42VM32800K-75BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:30:03 查看 阅读:7

IS42VM32800K-75BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的32Mbit(8M x 4)移动式动态随机存取存储器(DRAM),属于异步静态随机存储器(Pseudostatic RAM)类别。该芯片适用于需要高速数据访问和低功耗的应用,如便携式电子设备、通信模块和嵌入式系统。IS42VM32800K-75BLI-TR采用小型TSOP封装,适合空间受限的设计。

参数

容量:32Mbit
  组织结构:8M x 4
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:2.3V至3.6V
  访问时间:7.5ns
  最大工作频率:133MHz
  封装尺寸:54-pin
  数据保持电压:1.5V至3.6V

特性

IS42VM32800K-75BLI-TR 具有多种高性能和低功耗特性,适用于移动和便携式设备。该器件在高速访问的同时保持低功耗运行,其异步静态存储器接口使得设计更为简便。芯片支持自动省电模式,在无操作状态下自动进入低功耗模式,显著减少功耗。此外,该DRAM还支持数据保持模式,允许在较低电压(最低1.5V)下维持数据完整性,非常适合电池供电设备。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其兼容多种电源系统。IS42VM32800K-75BLI-TR采用TSOP封装,适合高密度PCB布局,并具备良好的热稳定性和抗干扰能力。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级应用环境。
  该芯片还具备高速数据访问能力,访问时间仅为7.5ns,最大工作频率可达133MHz,适用于需要快速响应的应用场景。其异步控制信号(CE#, OE#, WE#)允许灵活的系统接口设计,适用于多种嵌入式平台和外设扩展方案。

应用

IS42VM32800K-75BLI-TR 广泛应用于需要高性能、低功耗和小型化设计的电子设备中。例如,它适用于便携式医疗设备、无线通信模块、智能卡终端、工业控制器和数据采集系统。此外,该芯片也适合用于网络设备、嵌入式图形系统和移动手持设备的缓存扩展。由于其宽温度范围和稳定的工作特性,IS42VM32800K-75BLI-TR 也适用于汽车电子系统和工业自动化控制领域。

替代型号

IS42VM32800K-75BLL-TR, IS42VM32800A-75BLI-TR, IS42VM32800C-75BLI-TR

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IS42VM32800K-75BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥41.97548卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织8M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间6 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)