2SK1905 时间：2025/9/21 11:08:46 阅读：5

2SK1905是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率和快速开关性能的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性等特点。2SK1905封装形式为SIP-7（单列直插式7引脚），适合于插入式安装，在电源适配器、照明镇流器、工业控制电源等应用中广泛使用。
　　该MOSFET的最大漏源电压（V_DS）可达600V，表明其适用于高电压工作环境，同时具备较高的电流承载能力，能够满足多种中等功率开关电源的设计需求。由于其优化的结构设计，2SK1905在高速开关过程中表现出较低的开关损耗，有助于提升整体电源系统的转换效率并减少散热压力。
　　此外，2SK1905内部通常集成了一个反向并联二极管，用于处理感性负载产生的反向电流，提高电路工作的可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。总体而言，2SK1905是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET，特别适用于离线式开关电源设计，尤其是需要连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）操作的应用场景。

参数

型号：2SK1905
　　制造商：Toshiba
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：4.5A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：18A
　　最大功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.95Ω（@VGS=10V, ID=2.2A）
　　开启阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值350pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SIP-7

特性

2SK1905具备多项关键特性，使其成为高性能开关电源中的理想选择。首先，其高达600V的漏源击穿电压确保了在高压环境下仍能安全可靠地运行，适用于全球通用输入电压范围（85VAC至265VAC）的电源设计。这使得它在离线式反激变换器或正激拓扑结构中表现出色，能够在宽输入条件下保持稳定的开关性能。
　　其次，该器件拥有较低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为0.95Ω，在额定工作电流下可显著降低导通损耗，从而提高电源的整体效率，并减少对散热系统的要求。这对于追求小型化和高能效的产品设计尤为重要。
　　再者，2SK1905采用了优化的栅极结构设计，具有较低的输入电容和输出电容，有助于减小驱动电路的负担，实现更快的开关速度，同时降低开关过程中的能量损耗。其输入电容Ciss典型值为1100pF，输出电容Coss为350pF，在高频工作条件下表现优异，支持数十kHz至数百kHz的开关频率应用。
　　另外，该MOSFET具备良好的热稳定性和抗热失控能力，得益于其封装结构良好的热传导性能以及芯片本身的热设计优化，可以在高温环境下长时间稳定工作。其最大结温可达+150°C，配合适当的散热措施，可确保长期运行的可靠性。
　　最后，2SK1905内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约45ns），可在关断瞬间有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提升系统EMI兼容性。这些综合特性使2SK1905在节能灯具、电视电源、打印机电源、小型工业电源等领域得到广泛应用。

应用

2SK1905主要应用于各类中等功率的开关电源系统中。典型应用场景包括：离线式反激变换器（Flyback Converter），用于AC-DC电源适配器、充电器、LED驱动电源等产品中，尤其适用于需要高电压隔离和高效转换的小型化电源设计。
　　此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换器中，特别是在高输入电压条件下需要高效开关操作的场合。例如，在太阳能微逆变器、工业传感器供电模块、网络通信设备电源单元中均有使用。
　　在照明领域，2SK1905可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，利用其高耐压和快速开关特性实现高效的能量转换与控制。
　　在消费类电子产品如电视机、显示器、打印机等设备的内置开关电源（SMPS）中，2SK1905凭借其稳定性和性价比优势被广泛采用。其SIP-7封装便于手工焊接和维修，适合中小批量生产及售后替换。
　　同时，由于其具备较强的抗干扰能力和温度适应性，也可用于工业自动化设备、医疗仪器电源模块等对可靠性要求较高的环境中。