时间：2025/7/9 11:23:54
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SV0603N9R0G1B 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关晶体管，属于纳微半导体 (Navitas Semiconductor) 的 GaNFast 系列产品。该器件采用 QFN 封装形式，设计用于提高电源转换系统的效率和功率密度，主要应用于快充适配器、USB-PD 充电器以及其他高频高效能电源系统中。
相比传统硅基 MOSFET，SV0603N9R0G1B 提供了更低的导通电阻、更快的开关速度以及更高的工作频率，从而显著减小了系统尺寸并降低了能量损耗。
型号：SV0603N9R0G1B
封装：QFN-8
导通电阻：90 mΩ
额定电压：650 V
额定电流：4 A
开关频率：最高可达 2 MHz
结温范围：-55°C 至 +150°C
栅极驱动电压：6 V
SV0603N9R0G1B 结合了先进的氮化镓材料特性和创新的驱动技术，具备以下显著特点：
1. 高效性能：得益于超低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，可大幅降低传导损耗和开关损耗。
2. 小型化设计：支持更高的开关频率，使磁性元件和电容体积缩小，整体解决方案更紧凑。
3. 热性能优越：优化的热管理设计确保在高功率密度应用中的稳定性。
4. 内置保护功能：集成过流保护、过温保护等机制，提升系统可靠性。
5. 易于使用：兼容现有 PWM 控制器架构，简化设计流程。
这些特性使其成为现代消费类电子设备中小型化和高效化电源的理想选择。
SV0603N9R0G1B 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景中，具体包括：
1. USB PD 快速充电器
2. 消费类 AC-DC 适配器
3. 笔记本电脑充电器
4. LED 驱动电源
5. 工业电源模块
6. 通信电源系统
其卓越的高频表现和低损耗特性，特别适合需要小型化和高效化的电力转换解决方案。
NV6113
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STGAP100
GAN062-650WSA
