时间：2025/6/5 20:16:35
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GA0402H391JXAAC31G 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率器件系列。该型号采用先进的制造工艺，适用于高效率电源转换和电机驱动等应用场合。
该器件具有低导通电阻、高开关速度以及优异的热性能，能够显著提高系统效率并降低功耗。同时，其出色的电气特性和可靠性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
型号：GA0402H391JXAAC31G
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：2.5mΩ
Id（持续漏极电流）：120A
Qg（总栅极电荷）：65nC
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.5V~4.5V
fT（截止频率）：2.7MHz
Pd（最大功耗）：180W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
GA0402H391JXAAC31G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提升整体效率。
2. 高额定电流 Id 和较低的 Qg 值，支持高频开关操作。
3. 强大的热管理能力，能够适应严苛的工作环境。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
5. 优化的短路耐受时间设计，增强了系统的可靠性和安全性。
6. 可靠的电气性能，确保长期稳定运行。
GA0402H391JXAAC31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换控制。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力管理系统。
6. LED 照明驱动电路以及其他需要高效功率处理的应用场景。
GA0402H391JXAAC21G, IRF3710, FDP5570N
