时间：2025/6/17 12:42:30
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FS8205是一款双通道N沟道增强型MOSFET，主要用于功率管理应用。该器件采用小型化的DFN3030-8封装形式，能够显著减少电路板空间的占用，同时提供出色的电气性能。其低导通电阻特性使其成为便携式设备、计算机外设和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：2.7A
导通电阻（典型值）：95mΩ
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装类型：DFN3030-8
FS8205具有极低的导通电阻和栅极电荷，从而降低了传导损耗并提高了开关效率。
其高击穿电压确保了在较高输入电压下的稳定运行，而低泄漏电流则有助于降低静态功耗。
该器件还具备快速开关速度，非常适合DC-DC转换器、负载开关以及电池保护等应用。此外，它采用了无铅环保封装设计，符合RoHS标准。
FS8205广泛应用于多种领域，例如便携式电子产品中的电源管理模块、智能手机和平板电脑中的负载开关、USB端口保护、电机驱动控制、LED驱动器以及其他需要高效能功率切换的应用场景。
FDMQ8205
AO3400
IRLML6402
