时间：2025/9/4 6:06:25
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GT22M-ETC(01) 是一款由东芝（Toshiba）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗特性和双极型晶体管的低导通压降优势，适用于电力电子设备中的高效能开关应用。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压：1200V
最大集电极电流：25A
工作温度范围：-50°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：6μs
GT22M-ETC(01) 以其高性能和可靠性著称，具备以下关键特性：
首先，该器件的高耐压能力使其适用于高电压电路中，能够承受高达1200V的集电极-发射极电压，确保在高压应用中的稳定性和安全性。
其次，GT22M-ETC(01) 提供25A的最大集电极电流，适合高电流负载的应用场景，例如电机驱动、电源转换器和逆变器等。
此外，该IGBT的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，适用于常见的工业应用环境。
GT22M-ETC(01) 还具有良好的短路耐受能力，能够在6μs的时间内承受短路条件，从而提高了设备的可靠性并减少了潜在的故障风险。
最后，该器件的温度范围为-50°C至+150°C，适用于广泛的工作环境，确保在各种极端条件下的稳定运行。
GT22M-ETC(01) 主要应用于需要高效功率转换和高电压处理能力的设备，例如工业电机驱动、电源逆变器、UPS（不间断电源）系统以及可再生能源转换系统（如太阳能逆变器）。此外，该器件还可用于焊接设备、高频电源和其他需要高功率开关的工业应用。由于其出色的短路耐受能力和高电流处理能力，GT22M-ETC(01) 在需要可靠性和高性能的电力电子系统中被广泛采用。
GT25Q311、GT25Q312、GT25Q313
