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FQP17P06 发布时间 时间:2025/5/16 14:09:25 查看 阅读:11

FQP17P06是Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装,广泛应用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等电路中。其主要特点是低导通电阻(Rds(on)),从而提高了效率并降低了功耗。
  这款MOSFET具有快速的开关速度和良好的热稳定性,使其非常适合于高频应用环境。此外,它还具备较低的栅极电荷和输入电容,这有助于减少开关损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:30mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极-源极电压:±20V
  功耗:48W
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 快速开关性能,适用于高频应用。
  3. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
  4. 小型化的TO-252封装,便于PCB布局和散热设计。
  5. 较高的电流承载能力,适用于大功率场景。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。

应用

FQP17P06适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源中的同步整流。
  2. DC-DC转换器的主开关或同步整流管。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 汽车电子中的电源管理。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP17N10, STP17NF06L

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FQP17P06参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 25V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件