FQP17P06是Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-252封装,广泛应用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等电路中。其主要特点是低导通电阻(Rds(on)),从而提高了效率并降低了功耗。
这款MOSFET具有快速的开关速度和良好的热稳定性,使其非常适合于高频应用环境。此外,它还具备较低的栅极电荷和输入电容,这有助于减少开关损耗。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:17A
导通电阻:30mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极-源极电压:±20V
功耗:48W
工作结温范围:-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
2. 快速开关性能,适用于高频应用。
3. 良好的热稳定性和可靠性,适合长时间运行。
4. 小型化的TO-252封装,便于PCB布局和散热设计。
5. 较高的电流承载能力,适用于大功率场景。
6. 符合RoHS标准,环保无铅。
FQP17P06适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流管。
3. 电机驱动控制电路。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的电源管理。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP17N10, STP17NF06L