时间：2025/9/10 3:25:10
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THCR30E1E155MT 是一款由 Vishay Semiconductors 制造的表面贴装 N 沟道增强型 MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用设计，具有低导通电阻、高功率密度和优异的热性能。该封装为 TO-252（DPAK）形式，适用于多种功率电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：90A
导通电阻 Rds(on)：≤1.55mΩ（@Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
THCR30E1E155MT 采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热管理性能使其适用于高功率密度的设计。该器件的封装设计具有良好的散热性能，可支持高电流工作条件下的稳定运行。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器应用。
该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，可在过载或瞬态条件下提供更高的可靠性。其栅极结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，并提高了器件的耐用性。在制造工艺方面，THCR30E1E155MT 采用了高质量的硅材料和先进的封装技术，确保其在恶劣工作环境下的稳定性和长寿命。
THCR30E1E155MT 常用于高性能电源管理应用，如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，它也广泛应用于服务器电源、电信设备、工业自动化系统和汽车电子中的功率控制模块。其优异的导通特性和高可靠性也使其适用于需要高效能功率转换的可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统。
SiR340DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, SQJQ340EL-T1_GE3
