时间：2025/7/10 0:23:32
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LQG15HS5N1S02D 是罗姆（ROHM）公司推出的一款低导通电阻、小型化封装的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件主要应用于消费电子设备、工业设备及汽车电子中的电源管理模块。其采用 USP-6B 封装，具有出色的开关性能和耐热性，适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
由于其小尺寸和高性能，这款 MOSFET 在各种降压转换器、负载开关以及电池保护电路中表现出色。
类型：N-MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅极驱动电压（Vgs）：±20 V
持续漏极电流（Id）：17 A
导通电阻（Rds(on)）：1.2 mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总功耗（Ptot）：2.4 W
封装形式：USP-6B
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
LQG15HS5N1S02D 的导通电阻非常低，仅为 1.2 mΩ（在 Vgs=10V 条件下），这使其能够有效降低功率损耗并提升整体效率。
该 MOSFET 具备卓越的开关性能，能够支持高频操作，从而减少滤波器和其他外围元件的体积。
此外，USP-6B 封装不仅减小了 PCB 占用面积，还增强了散热能力，确保长时间稳定运行。
器件具备较高的抗雪崩能力和 ESD 耐受能力，提升了系统可靠性。
通过优化的芯片设计和制造工艺，LQG15HS5N1S02D 在动态性能和静态性能之间实现了良好的平衡。
LQG15HS5N1S02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流；
2. DC-DC 转换器的高端或低端开关；
3. 电池管理系统中的负载开关与保护电路；
4. 各类电机驱动电路；
5. 工业自动化设备中的信号切换；
6. 汽车电子系统中的电源分配和保护。
其低导通电阻和小型化封装特别适合对空间和效率要求较高的便携式设备及嵌入式系统。
LQG15HS5N1S02DTR, LQG15HS5N1S02DK
