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CSD95496QVM 发布时间 时间:2025/5/6 18:11:26 查看 阅读:18

CSD95496QVM是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的高集成度功率级芯片。它将高性能的GaN FET与优化的驱动器集成在一个小型封装中,适用于高效能、高频开关的应用场景,例如数据中心电源、服务器电源、通信电源和工业转换器等。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,能够显著提高系统效率并减少散热需求。

参数

型号:CSD95496QVM
  类别:GaN功率级芯片
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值,25°C)
  额定电压:600V
  连续漏极电流:12A
  封装形式:QFN-8x8mm
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  栅极电荷:7.5nC(典型值)
  反向恢复电荷:无(由于GaN特性)
  开关频率:支持高达MHz级
  输入信号兼容性:标准CMOS/TTL

特性

CSD95496QVM采用了先进的GaN技术,具备以下关键特性:
  1. 高效性能:其极低的导通电阻和快速开关速度可显著降低传导损耗和开关损耗。
  2. 高频操作能力:支持高达MHz级别的开关频率,使得设计更紧凑并减少磁性元件体积。
  3. 集成设计:将GaN FET和驱动器集成在一起,简化了电路设计,减少了外围元件数量。
  4. 热性能优异:通过低热阻封装设计,能够有效管理热量。
  5. 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
  6. 易于使用:兼容标准CMOS/TTL逻辑电平输入信号,便于与现有控制器配合使用。

应用

CSD95496QVM广泛应用于需要高效率和高功率密度的领域,包括但不限于:
  1. 数据中心和服务器电源供应器(PSU)。
  2. 通信设备中的AC/DC和DC/DC转换器。
  3. 工业自动化设备中的高效能电源模块。
  4. 充电器及适配器设计。
  5. 汽车电子中的OBC(车载充电器)和其他高压应用。
  6. 能源存储系统的功率转换部分。
  这款器件特别适合追求高效率、小尺寸和低成本的设计方案。

替代型号

CSD95497Q5M

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CSD95496QVM参数

  • 现有数量2,500现货10,000Factory
  • 价格1 : ¥29.97000剪切带(CT)2,500 : ¥16.96907卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置半桥(3)
  • 应用同步降压转换器
  • 接口PWM
  • 负载类型电感,电容性
  • 技术功率 MOSFET
  • 导通电阻(典型值)-
  • 电流 - 输出/通道40A
  • 电流 - 峰值输出60A
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 电压 - 负载4.5V ~ 16V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 特性自举电路
  • 故障保护击穿
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳18-PowerTFDFN
  • 供应商器件封装18-VSON(5x4)