时间：2025/5/6 18:11:26
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CSD95496QVM是德州仪器（TI）推出的一款基于氮化镓（GaN）技术的高集成度功率级芯片。它将高性能的GaN FET与优化的驱动器集成在一个小型封装中，适用于高效能、高频开关的应用场景，例如数据中心电源、服务器电源、通信电源和工业转换器等。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，能够显著提高系统效率并减少散热需求。
型号：CSD95496QVM
类别：GaN功率级芯片
导通电阻（Rds(on)）：30mΩ（典型值，25°C）
额定电压：600V
连续漏极电流：12A
封装形式：QFN-8x8mm
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
栅极电荷：7.5nC（典型值）
反向恢复电荷：无（由于GaN特性）
开关频率：支持高达MHz级
输入信号兼容性：标准CMOS/TTL
CSD95496QVM采用了先进的GaN技术，具备以下关键特性：
1. 高效性能：其极低的导通电阻和快速开关速度可显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 高频操作能力：支持高达MHz级别的开关频率，使得设计更紧凑并减少磁性元件体积。
3. 集成设计：将GaN FET和驱动器集成在一起，简化了电路设计，减少了外围元件数量。
4. 热性能优异：通过低热阻封装设计，能够有效管理热量。
5. 高可靠性：经过严格测试，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
6. 易于使用：兼容标准CMOS/TTL逻辑电平输入信号，便于与现有控制器配合使用。
CSD95496QVM广泛应用于需要高效率和高功率密度的领域，包括但不限于：
1. 数据中心和服务器电源供应器（PSU）。
2. 通信设备中的AC/DC和DC/DC转换器。
3. 工业自动化设备中的高效能电源模块。
4. 充电器及适配器设计。
5. 汽车电子中的OBC（车载充电器）和其他高压应用。
6. 能源存储系统的功率转换部分。
这款器件特别适合追求高效率、小尺寸和低成本的设计方案。
CSD95497Q5M
