CSD95496QVM是德州仪器(TI)推出的一款基于氮化镓(GaN)技术的高集成度功率级芯片。它将高性能的GaN FET与优化的驱动器集成在一个小型封装中,适用于高效能、高频开关的应用场景,例如数据中心电源、服务器电源、通信电源和工业转换器等。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on))和快速开关性能,能够显著提高系统效率并减少散热需求。
型号:CSD95496QVM
类别:GaN功率级芯片
导通电阻(Rds(on)):30mΩ(典型值,25°C)
额定电压:600V
连续漏极电流:12A
封装形式:QFN-8x8mm
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
栅极电荷:7.5nC(典型值)
反向恢复电荷:无(由于GaN特性)
开关频率:支持高达MHz级
输入信号兼容性:标准CMOS/TTL
CSD95496QVM采用了先进的GaN技术,具备以下关键特性:
1. 高效性能:其极低的导通电阻和快速开关速度可显著降低传导损耗和开关损耗。
2. 高频操作能力:支持高达MHz级别的开关频率,使得设计更紧凑并减少磁性元件体积。
3. 集成设计:将GaN FET和驱动器集成在一起,简化了电路设计,减少了外围元件数量。
4. 热性能优异:通过低热阻封装设计,能够有效管理热量。
5. 高可靠性:经过严格测试,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
6. 易于使用:兼容标准CMOS/TTL逻辑电平输入信号,便于与现有控制器配合使用。
CSD95496QVM广泛应用于需要高效率和高功率密度的领域,包括但不限于:
1. 数据中心和服务器电源供应器(PSU)。
2. 通信设备中的AC/DC和DC/DC转换器。
3. 工业自动化设备中的高效能电源模块。
4. 充电器及适配器设计。
5. 汽车电子中的OBC(车载充电器)和其他高压应用。
6. 能源存储系统的功率转换部分。
这款器件特别适合追求高效率、小尺寸和低成本的设计方案。
CSD95497Q5M