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STW26NM60N 发布时间 时间:2025/5/30 12:53:01 查看 阅读:9

STW26NM60N 是由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款 N 沣道沟功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有高效率和低导通电阻的特性,适用于多种开关应用。其耐压高达 600V,能够承受较高的电压波动,同时具备较低的导通损耗和开关损耗,非常适合在电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的应用中使用。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220,便于安装和散热,适合工业级和消费级电子产品的设计需求。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:8.5A
  导通电阻(典型值):1.3Ω
  栅极电荷:45nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220

特性

STW26NM60N 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:600V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
  2. 低导通电阻:典型值为 1.3Ω,有助于降低导通损耗并提高整体效率。
  3. 快速开关性能:通过优化的栅极电荷设计,可以实现更快速的开关切换,从而减少开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度区间,确保其在极端环境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠性高:经过严格测试,能够在长时间使用中保持性能稳定。

应用

STW26NM60N 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS):
   - 离线式 AC-DC 转换器
   - DC-DC 转换器
  2. 电机驱动:
   - 直流无刷电机控制
   - 步进电机驱动
  3. 逆变器:
   - 太阳能逆变器
   - UPS 不间断电源
  4. 工业自动化设备:
   - 电磁阀控制
   - 传感器供电
  5. 消费类电子产品:
   - 笔记本适配器
   - 显示器电源模块

替代型号

STW26NM60T6, IRFB4710PBF, FDP15U60A

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STW26NM60N参数

  • 其它有关文件STW26NM60N View All Specifications
  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 50V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 工具箱497-8013-KIT-ND - KIT HIGH POWER MOSFET 12VALUES
  • 其它名称497-9066-5