时间：2025/5/30 12:53:01
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STW26NM60N 是由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的一款 N 沣道沟功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有高效率和低导通电阻的特性，适用于多种开关应用。其耐压高达 600V，能够承受较高的电压波动，同时具备较低的导通损耗和开关损耗，非常适合在电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的应用中使用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220，便于安装和散热，适合工业级和消费级电子产品的设计需求。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
STW26NM60N 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻：典型值为 1.3Ω，有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能：通过优化的栅极电荷设计，可以实现更快速的开关切换，从而减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度区间，确保其在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高：经过严格测试，能够在长时间使用中保持性能稳定。
STW26NM60N 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- 离线式 AC-DC 转换器
- DC-DC 转换器
2. 电机驱动：
- 直流无刷电机控制
- 步进电机驱动
3. 逆变器：
- 太阳能逆变器
- UPS 不间断电源
4. 工业自动化设备：
- 电磁阀控制
- 传感器供电
5. 消费类电子产品：
- 笔记本适配器
- 显示器电源模块
STW26NM60T6, IRFB4710PBF, FDP15U60A
