STW26NM60N 是由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款 N 沣道沟功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有高效率和低导通电阻的特性,适用于多种开关应用。其耐压高达 600V,能够承受较高的电压波动,同时具备较低的导通损耗和开关损耗,非常适合在电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的应用中使用。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220,便于安装和散热,适合工业级和消费级电子产品的设计需求。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻(典型值):1.3Ω
栅极电荷:45nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-220
STW26NM60N 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:600V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻:典型值为 1.3Ω,有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能:通过优化的栅极电荷设计,可以实现更快速的开关切换,从而减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度区间,确保其在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高:经过严格测试,能够在长时间使用中保持性能稳定。
STW26NM60N 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 离线式 AC-DC 转换器
- DC-DC 转换器
2. 电机驱动:
- 直流无刷电机控制
- 步进电机驱动
3. 逆变器:
- 太阳能逆变器
- UPS 不间断电源
4. 工业自动化设备:
- 电磁阀控制
- 传感器供电
5. 消费类电子产品:
- 笔记本适配器
- 显示器电源模块
STW26NM60T6, IRFB4710PBF, FDP15U60A