时间：2025/9/2 6:43:50
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H5TC1G83EFR-PBA 是由SK Hynix生产的一种DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于16M x 8规格的DRAM类型，通常用于需要高速存储的应用中。H5TC1G83EFR-PBA 以其高性能和可靠性著称，在工业控制、消费电子和计算机外设等领域有着广泛的应用。
容量：16Mbit
组织结构：x8
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H5TC1G83EFR-PBA 的主要特性包括高速访问时间，适合需要快速数据处理的应用；宽工作电压范围（2.3V至3.6V），使其能够在多种电源条件下稳定工作；低功耗设计，适合对能耗敏感的应用；TSOP封装确保了良好的散热性能和可靠性，适合在空间受限的环境中使用。
H5TC1G83EFR-PBA 的高可靠性和长寿命使其成为工业控制和嵌入式系统中的理想选择。其宽温度范围支持 (-40°C 至 +85°C) 保证了在极端环境下的稳定运行。此外，该芯片还支持自动刷新和自刷新模式，有助于降低功耗并提高数据保持能力。
H5TC1G83EFR-PBA 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品（如数字电视和机顶盒）、计算机外设（如打印机和扫描仪）以及通信设备。由于其高可靠性和宽温度范围，该芯片也常用于汽车电子系统和户外通信设备中。
H5TC1G83EFR-PBA的替代型号包括H5TC1G83EFR-RD和H5TC1G83EFR-PA
