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H5TC1G83EFR-PBA 发布时间 时间:2025/9/2 6:43:50 查看 阅读:5

H5TC1G83EFR-PBA 是由SK Hynix生产的一种DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于16M x 8规格的DRAM类型,通常用于需要高速存储的应用中。H5TC1G83EFR-PBA 以其高性能和可靠性著称,在工业控制、消费电子和计算机外设等领域有着广泛的应用。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:x8
  工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

H5TC1G83EFR-PBA 的主要特性包括高速访问时间,适合需要快速数据处理的应用;宽工作电压范围(2.3V至3.6V),使其能够在多种电源条件下稳定工作;低功耗设计,适合对能耗敏感的应用;TSOP封装确保了良好的散热性能和可靠性,适合在空间受限的环境中使用。
  H5TC1G83EFR-PBA 的高可靠性和长寿命使其成为工业控制和嵌入式系统中的理想选择。其宽温度范围支持 (-40°C 至 +85°C) 保证了在极端环境下的稳定运行。此外,该芯片还支持自动刷新和自刷新模式,有助于降低功耗并提高数据保持能力。

应用

H5TC1G83EFR-PBA 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、消费电子产品(如数字电视和机顶盒)、计算机外设(如打印机和扫描仪)以及通信设备。由于其高可靠性和宽温度范围,该芯片也常用于汽车电子系统和户外通信设备中。

替代型号

H5TC1G83EFR-PBA的替代型号包括H5TC1G83EFR-RD和H5TC1G83EFR-PA

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