时间：2025/9/2 7:45:40
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H26M41103HPRA 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于嵌入式系统和高性能计算设备中。该芯片属于异步DRAM类别，具备较高的存储密度和稳定的性能，适用于需要大容量内存的工业和消费类电子产品。
类型：DRAM
容量：256Mb（64M x 4位）
电源电压：3.3V
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：4位
刷新周期：64ms
访问时间：5.4ns（最大）
封装尺寸：54引脚 TSOP
接口类型：并行
H26M41103HPRA 具备多项优异特性，适用于各种高性能存储应用。其异步接口设计使其能够适应多种系统架构，提供灵活的连接选项。芯片采用3.3V电源供电，确保在低功耗运行的同时保持稳定性能。其64ms的刷新周期可有效保持数据完整性，并降低系统功耗。该芯片采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。
此外，H26M41103HPRA 支持宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于工业级和车载应用场景，具备良好的可靠性和耐久性。其高速访问时间（最大5.4ns）使其适用于需要快速数据存取的系统，如图像处理、网络通信和嵌入式控制器等。整体设计兼顾性能与功耗，是一款适用于多种应用场景的通用型DRAM芯片。
H26M41103HPRA 主要应用于需要大容量高速存储的嵌入式系统，如工业控制设备、网络路由器、交换机、视频监控系统、数字电视、机顶盒、打印机及其他消费类电子产品。其高可靠性和宽温特性也使其适用于汽车电子系统和户外通信设备。
HY57V281620FTP-6A, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632K-TC10
