器件型号：Si8710CC-B-IP
　　通道数：1
　　方向：单向
　　数据速率：最高10 Mbps
　　供电电压（VDD1/VDD2）：2.7V 至 5.5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压（VRMS）：5000 V RMS（1分钟，符合UL 1577）
　　绝缘材料：聚酰亚胺
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：100 kV/μs（最小值）
　　传播延迟：最大75 ns
　　脉冲宽度失真：≤15 ns
　　电流消耗（静态）：2.5 mA（典型值）
　　输出类型：推挽式
　　封装类型：8引脚SOIC宽体（DWB）
　　安全认证：UL 1577、CSA Component Acceptance Notice #5、VDE 0884-10（增强型隔离）

Si8710CC-B-IP具备卓越的电气隔离性能和长期稳定性，是传统光耦的理想升级替代方案。其核心优势之一在于摒弃了易老化且响应缓慢的LED结构，转而采用基于CMOS的射频调制技术，将输入端的数字信号调制成高频载波，通过集成在芯片上的微电容隔离层进行传输，再在输出端解调还原为原始信号。这种机制从根本上消除了传统光耦因LED光衰导致的性能下降问题，极大延长了器件使用寿命，并保证在整个生命周期内保持一致的传输特性。该器件支持高达10 Mbps的数据速率，远高于大多数标准光耦，使其适用于高速通信接口和实时控制系统。其低传播延迟（典型值小于50ns）和极小的脉冲宽度失真确保了精确的时间控制，适用于PWM电机驱动、开关电源反馈环路和工业现场总线隔离等对时序要求严格的应用场景。
　　另一个关键特性是优异的抗干扰能力。Si8710CC-B-IP具备高达100 kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），能够在地电位剧烈波动或存在高强度电磁干扰的工业环境中维持信号完整性，避免误触发或数据错误。其宽电源电压范围（2.7V至5.5V）支持与多种逻辑电平系统直接接口，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。器件采用推挽输出结构，能够主动驱动高低电平，提供较强的负载驱动能力，减少对外部上拉电阻的依赖，同时降低功耗。在静态工作状态下，其电流消耗仅为2.5mA左右，相较于传统光耦更为节能，有助于提升系统整体能效。
　　从安全合规角度看，Si8710CC-B-IP通过了包括UL、CSA和VDE在内的多项国际安全认证，符合IEC/EN/DIN EN 60747-17标准，支持增强型隔离等级，允许在更高电压和更严酷条件下安全运行。其5000 V RMS的隔离耐压能力可有效防止高压窜入低压侧，保护人员和设备安全。此外，该器件的工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，适应极端环境条件，广泛用于工业自动化、电力监控、医疗设备和可再生能源系统。8引脚SOIC宽体封装不仅提供了足够的爬电距离和电气间隙，还便于自动化贴片生产，提升制造效率。

Si8710CC-B-IP广泛应用于需要高可靠性电气隔离的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的数字输入模块，用于隔离现场传感器信号，防止高电压或噪声干扰影响控制器安全；同时也用于电机驱动器中的栅极驱动信号隔离，确保功率级与控制级之间的安全隔离。在电源管理系统中，该器件可用于隔离式DC-DC转换器的反馈回路，实现精确稳压控制，同时满足安规要求。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，Si8710CC-B-IP用于隔离通信接口（如RS-485、CAN总线）和状态监测信号，保障系统在高压环境下的稳定运行。此外，在医疗电子设备中，由于其通过了严格的隔离安全认证，可用于病人连接设备中的信号隔离，满足医疗设备对电气安全的高标准要求。测试与测量仪器也常采用该器件来隔离敏感测量电路，提高抗干扰能力和测量精度。其高速、低延迟特性使其成为数字隔离器在实时控制和高速通信接口中的首选方案。

Si8711CC-B-IPR
　　Si8712CC-B-IPR
　　ADuM110N0BRZ