时间：2025/8/7 9:18:31
阅读：18
INN2104K-TL是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的集成式高压MOSFET驱动器芯片，属于其CoolMOS?系列的一部分。该芯片主要设计用于驱动高性能功率MOSFET和IGBT器件，在电源转换应用中提供高效能的解决方案。INN2104K-TL集成了高压半桥驱动器和独立的上桥臂与下桥臂驱动电路，适用于需要高可靠性和高效率的工业电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用场景。该芯片采用紧凑型封装，能够在高频率下稳定工作，同时具备良好的抗干扰能力。
工作电压：最高200V
输出电流：±0.5A（典型值）
输入电压范围：3V至20V
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：8引脚SOIC
最大开关频率：500kHz
传播延迟：典型值90ns
死区时间控制：内置
隔离电压：1500V（绝缘等级）
INN2104K-TL具备多项先进特性，使其在功率驱动应用中表现出色。
首先，该芯片集成了高压半桥驱动器，能够直接驱动MOSFET和IGBT，无需额外的外部驱动电路，从而简化了设计并减少了PCB面积。其上下桥臂均具备高达±0.5A的驱动能力，确保了功率器件的快速开关，降低了开关损耗。
其次，INN2104K-TL具有宽输入电压范围（3V至20V），适用于多种电源管理应用，包括电池供电系统和工业电源设备。该芯片支持高达500kHz的开关频率，适合高频电源转换器的设计，有助于减小外围电感和电容的尺寸，提高系统功率密度。
此外，INN2104K-TL内置了死区时间控制功能，防止上下桥臂同时导通造成的直通电流，提升了系统稳定性与安全性。其传播延迟时间仅为90ns左右，保证了高精度的同步控制，适用于高性能电机驱动和数字控制电源系统。
最后，该器件采用8引脚SOIC封装，具备良好的热稳定性和电气隔离性能，能够适应严苛的工业环境。其工作温度范围为-40°C至+150°C，适用于高可靠性应用场景。
INN2104K-TL广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能、高频率工作的场合。
在工业电源系统中，INN2104K-TL常用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块、服务器电源和通信设备电源系统。其高开关频率和低传播延迟特性有助于提高转换效率并减小整体系统体积。
在电机控制应用中，如伺服驱动器、步进电机驱动和无刷直流电机控制，INN2104K-TL能够有效驱动高功率MOSFET或IGBT，实现精确的速度和位置控制。
另外，该芯片也适用于太阳能逆变器、储能系统、UPS不间断电源以及车载充电器等新能源相关应用，提供稳定可靠的功率驱动解决方案。
由于其宽输入电压范围和高集成度，INN2104K-TL也适用于电池供电设备、便携式医疗设备和工业自动化设备中的功率管理模块。
IR2104S, IRS2001, FAN7380, NCP5101
