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GA1210Y333MXJAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 13:22:58 查看 阅读:8

GA1210Y333MXJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和稳定性。
  其封装形式为TO-263(D2PAK),适合高电流密度的应用场景,并且内置了过温保护和过流限制功能以增强可靠性。

参数

型号:GA1210Y333MXJAT31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  电压等级:1200V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:50mΩ(典型值)
  栅极电荷:80nC
  总功耗:250W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263

特性

GA1210Y333MXJAT31G具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,可有效减少开关损耗。
  3. 内置的热关断保护机制确保在异常条件下不会损坏器件。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件在短路或瞬态事件中的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 优异的抗电磁干扰性能,适用于复杂电磁环境下的应用。
  此外,该器件还支持高频率操作,从而可以减小滤波器和变压器等外部元件的尺寸,进一步优化整体解决方案的成本与空间需求。

应用

GA1210Y333MXJAT31G主要应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括AC/DC转换器和DC/DC变换器。
  2. 太阳能逆变器和风能发电系统中的功率转换模块。
  3. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器和车载充电器。
  4. 工业自动化设备中的伺服驱动和变频器。
  5. 高端音频放大器和其他需要高效功率处理的消费类电子产品。
  由于其出色的性能表现,这款MOSFET非常适合要求高效率、高可靠性和紧凑设计的各种功率电子应用。

替代型号

GA1210Y333MXJAT31G_A, IRFP460, STP12NK60Z

GA1210Y333MXJAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-