PBSS4240ZX 时间：2025/9/14 2:58:18 阅读：11

PBSS4240ZX 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高功率效率。该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的开关应用，如 DC-DC 转换器、电源管理模块、电机驱动电路以及电池供电设备。PBSS4240ZX 采用 SOT-223 封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：40 V
　　栅源电压 Vgs：±20 V
　　连续漏极电流 Id：4.5 A（在 Tmb = 25°C）
　　漏极电流 Id 脉冲：30 A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 40 mΩ（在 Vgs = 10 V）
　　阈值电压 Vgs(th)：1.2 V 至 2.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

特性

PBSS4240ZX 的核心优势在于其极低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 Vgs = 10 V 时的 Rds(on) 最大为 40 mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通压降。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力，能够在 4.5 A 连续漏极电流下稳定工作，同时支持高达 30 A 的脉冲电流，适用于高瞬态负载场景。
　　采用 Trench 技术使其在小尺寸封装中实现了优异的性能表现。SOT-223 封装不仅具备良好的热管理能力，还支持表面贴装技术，提高了 PCB 的空间利用率和生产自动化程度。
　　其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了 PBSS4240ZX 在极端环境下的稳定性和可靠性，适用于汽车电子、工业控制、消费类电子等多类应用场景。此外，其 ±20 V 的栅极电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，能够兼容多种驱动电路。

应用

PBSS4240ZX 广泛应用于多种电子系统中，特别是在对效率和空间要求较高的电源管理系统中表现优异。常见应用包括：同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、LED 驱动电路、电池管理系统（BMS）以及便携式电子产品中的功率控制模块。在汽车电子中，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。由于其高可靠性，也常用于工业自动化设备和嵌入式系统中的电源管理部分。