STW24N60M2 时间：2025/5/24 16:04:24 阅读：13

STW24N60M2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沣道场效应晶体管（MOSFET），属于 MDmesh M2 系列。该器件采用 TO-247 封装，适用于高电压、大电流应用场合。
　　STW24N60M2 的额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时具有较低的导通电阻 Rds(on)，从而提高效率并减少功率损耗。这款 MOSFET 通常用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他电力电子转换设备中。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：24A
　　导通电阻 Rds(on)：185mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷 Qg：45nC（典型值）
　　开关速度：快速恢复
　　封装形式：TO-247

特性

STW24N60M2 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其 600V 的漏源电压使其适合于高压工业和汽车应用环境。
　　2. 低导通电阻：Rds(on) 的典型值为 185mΩ，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
　　3. 快速开关性能：得益于较低的栅极电荷 Qg 和优化的设计结构，该 MOSFET 可以实现更快的开关速度，减少开关损耗。
　　4. 高可靠性：MDmesh 技术提升了器件的鲁棒性和耐用性，特别是在高功率密度的应用场景下。
　　5. 热性能优越：TO-247 封装提供了良好的散热路径，有助于保持芯片在高温下的稳定运行。

应用

STW24N60M2 主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：包括 AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。
　　2. 电机驱动：如工业自动化中的伺服电机控制或家用电器中的无刷直流电机驱动。
　　3. 太阳能逆变器：用于光伏系统的功率调节与能量管理。
　　4. 不间断电源（UPS）：提供高效的能源转换和保护功能。
　　5. 电动汽车和混合动力汽车中的功率变换模块：如车载充电器和牵引逆变器。
　　6. 其他需要高压开关和高效功率处理的电子电路设计。