时间：2025/7/17 19:19:13
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FDP15N65是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由ON Semiconductor生产。这款器件主要用于需要高效率、高速开关性能的电源转换应用中，例如在DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和电机控制电路中广泛应用。该MOSFET采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和电流承载能力。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：15A @ 100°C
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
导通电阻(Rds On)：典型值为0.42Ω
输入电容(Ciss)：约1700pF
封装类型：TO-220
FDP15N65具有低导通电阻（Rds On）特性，使其在导通状态下损耗较低，从而提高系统效率。此外，其高耐压特性（650V Vds）允许它在高压环境中稳定运行。
该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的雪崩能量吸收能力和耐用性。这种设计提高了器件的可靠性，并延长了使用寿命，特别适用于可能会遇到过载或短路情况的应用场景。
此外，FDP15N65具备快速开关特性，可以有效减少开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI）。由于其优良的热管理性能，该MOSFET可以在高温环境下稳定运行，确保长时间工作的稳定性。
TO-220封装形式不仅便于安装和散热，而且兼容大多数PCB布局设计，适合多种应用场景。
FDP15N65常用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- AC-DC和DC-DC转换器
- 电机驱动和控制电路
- 不间断电源（UPS）
- 光伏逆变器
- 电池充电器
- 家用电器和工业自动化设备中的电源模块
其高耐压和大电流能力也使其成为电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的辅助电源系统优选元件之一。
IRF740, FQA16N65, STF15N65M
