型号：MB4513PF-G-BND
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.7A
　　最大脉冲漏极电流（ID_pulse）：26A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻RDS(on)：4.2mΩ（@ VGS=4.5V, ID=4.35A）
　　RDS(on) 温度系数：正温度系数，随结温升高而增加
　　阈值电压（Vth）：典型值1.2V，范围1.0V~1.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值920pF（@VDS=10V, VGS=0V）
　　输出电容（Coss）：典型值270pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值40pF
　　栅极电荷（Qg）：典型值8.5nC（@VDS=10V, ID=8.7A, VGS=4.5V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值13ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerSS-MP（超小型功率封装）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　引脚数：6
　　符合标准：RoHS、AEC-Q101

MB4513PF-G-BND具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=4.5V时仅为4.2mΩ，这使得它在大电流应用场景下能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。其低RDS(on)得益于罗姆专有的沟槽栅极技术和高精度制造工艺，在保持小尺寸的同时实现了优异的载流能力和热稳定性。该器件具有良好的热阻特性，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）非常低，有助于将内部产生的热量迅速传导至PCB，从而支持长时间高负载运行而不发生过热失效。
　　该MOSFET的栅极驱动电压兼容3.3V逻辑电平，可在4.5V或5V驱动条件下充分导通，因此可直接由现代微控制器或电源管理IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。其输入电容和栅极电荷均经过优化，确保在高频开关操作中具有较低的驱动损耗，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率应用。
　　MB4513PF-G-BND内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约13ns），减少了在同步整流或感性负载切换过程中因反向恢复引起的尖峰电压和能量损耗，提高了系统的EMI性能和可靠性。此外，该器件具有正温度系数的RDS(on)，有利于多管并联使用时实现自动均流，避免局部过热问题。
　　PowerSS-MP封装不仅体积小巧，还通过增强的铜夹结构提升了电流承载能力和散热性能。相比传统DFN或SOP封装，该封装在相同占板面积下提供了更优的电气和热表现，特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和效率要求严苛的产品。同时，AEC-Q101认证使其可用于汽车信息娱乐系统、LED照明驱动、电动助力转向传感器电源等车用场景。

广泛应用于便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的DC-DC降压变换器和负载开关电路；用于电池供电系统的电源通断控制，提供低静态功耗和高效能切换功能；作为同步整流器应用于高效率开关电源（SMPS）中，替代传统肖特基二极管以降低传导损耗；适用于各类电机驱动和继电器驱动电路中的低端开关元件；在汽车电子系统中，用于车身控制模块、车载摄像头电源、USB充电端口管理和LED背光驱动等低压功率控制场合；还可用于FPGA、ASIC和处理器核心供电的POL（Point-of-Load）转换器中，满足动态负载响应和高密度布局的需求；此外，也适用于工业传感器、IoT设备和无线耳机等小型化智能终端的电源架构设计。