时间：2025/8/14 1:14:30
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LBC848CWT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛用于高频放大和开关应用。这款晶体管采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，适合在空间受限的电路设计中使用。LBC848CWT1G具有良好的高频性能和稳定的电气特性，使其成为射频（RF）和模拟电路设计中的常用选择。
晶体管类型：NPN BJT
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：200mW
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
封装类型：SOT-323（SC-70）
LBC848CWT1G具备多项优良的电气特性，包括高电流增益、低饱和压降以及出色的频率响应能力。这款晶体管能够在高频环境下稳定工作，适用于需要快速开关和信号放大的电路。LBC848CWT1G的电流增益范围较宽，根据不同的等级划分，hFE可以在110到800之间变化，满足多种应用场景的需求。此外，该器件的封装形式为SOT-323，尺寸小巧，适合用于高密度PCB布局。
该晶体管在设计中具备良好的热稳定性和可靠性，能够在一定的温度范围内保持稳定的性能。LBC848CWT1G的最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流最大为100mA，适用于低功率放大和开关电路。其增益带宽积达到100MHz，表明其在射频和模拟信号处理中的性能优异。此外，该器件的低饱和压降特性有助于降低电路中的能量损耗，提高整体效率。
LBC848CWT1G通常用于射频（RF）放大器、模拟信号放大、开关电路、振荡器和混频器等高频电路设计中。由于其优异的高频响应和稳定的增益特性，这款晶体管被广泛应用于无线通信设备、音频放大电路、传感器信号调理电路以及各种便携式电子产品中。此外，在需要低噪声和高稳定性的应用场合，如测试仪器和工业控制系统中，LBC848CWT1G也是一个理想的选择。
BC848C, 2N3904, 2N2222, MMBT3904
