时间：2025/12/25 10:12:16
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BU4S584G2-TR是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的低电压、低功耗运算放大器，专为便携式电子设备和电池供电系统设计。该器件采用高增益、低输入偏置电流的CMOS工艺制造，具备出色的直流精度和交流性能，能够在1.8V至5.5V的宽电源电压范围内稳定工作。其小型封装形式（如SSOP-J8或DFN8）使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、可穿戴设备、医疗监测仪器以及工业传感器接口等。BU4S584G2-TR具有单位增益稳定特性，支持多种放大电路配置，包括电压跟随器、同相与反相放大器、有源滤波器等。该运放还具备良好的温度稳定性，在-40°C至+125°C的工作结温范围内保持性能一致，适用于严苛环境下的信号调理任务。此外，其输出级能够驱动高达100pF的容性负载，并提供轨到轨输入与输出摆幅能力，从而最大化动态范围，提升信噪比表现。这些特点使得BU4S584G2-TR成为高精度模拟前端设计中的理想选择之一。
型号：BU4S584G2-TR
制造商：ROHM Semiconductor
通道数：4
电源电压（单电源）：1.8V 至 5.5V
输入偏置电流：典型值 0.1pA
增益带宽积（GBW）：典型值 1MHz
转换速率（Slew Rate）：典型值 0.6V/μs
输入失调电压：典型值 1.5mV，最大值 5mV
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
静态电流：每通道典型值 45μA
输出电压摆幅：轨到轨
输入共模电压范围：包含负电源轨（轨到轨输入）
封装类型：SSOP-J8 或 DFN8
单位增益稳定性：是
相位裕度：典型值 60°
输出电流能力：±20mA（最小）
噪声电压（1kHz）：典型值 28nV/√Hz
BU4S584G2-TR采用先进的CMOS输入级设计，具备极低的输入偏置电流，典型值仅为0.1pA，这使其在处理高阻抗传感器信号时表现出色，能有效减少因输入电流引起的误差，特别适合光电二极管、热电偶、pH探针等微弱电流信号的放大应用。其轨到轨输入与输出结构允许输入信号接近电源轨运行，同时输出也能驱动至接近地和正电源电压，显著提升了动态范围，尤其在低电压供电条件下仍能保持较高的信号完整性。
该器件的增益带宽积为1MHz，支持中频信号处理需求，配合0.6V/μs的转换速率，可在大多数通用放大电路中实现快速响应而不产生明显失真。其单位增益稳定设计意味着无需外部补偿即可在电压跟随器等低增益配置下可靠工作，简化了电路设计流程。此外，每通道仅消耗约45μA的静态电流，四通道合计不到200μA，极大延长了电池供电系统的续航时间。
在精度方面，输入失调电压典型值为1.5mV，最大不超过5mV，结合低温漂特性，确保在不同温度环境下仍能维持稳定的直流性能。其相位裕度典型值为60°，保证了闭环系统的稳定性，避免振荡风险。输出级具备±20mA的驱动能力，可直接驱动轻负载或缓冲至后续ADC采样电路。集成的过温保护和ESD防护功能进一步增强了器件的可靠性，适用于工业级应用场景。整体来看，BU4S584G2-TR在功耗、精度、带宽和集成度之间实现了良好平衡，是一款高度优化的通用型低功耗运放。
BU4S584G2-TR广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高精度信号调理的电子系统中。常见用途包括便携式医疗设备，如血糖仪、心率监测器和体温计，其中它用于放大来自生物传感器的微弱模拟信号。在消费类电子产品中，该芯片可用于智能手机中的环境光传感器接口、触摸屏控制器前端或音频前置放大电路。工业自动化领域中，它可以作为压力、温度或湿度传感器的信号调节单元，连接至MCU的ADC输入端口。
由于其高输入阻抗和低偏置电流特性，BU4S584G2-TR也常用于光电检测系统，例如烟雾探测器、红外接收模块和激光测距装置中的跨阻放大器（TIA）设计。在电池管理系统（BMS）中，可用于多节电池电压监测电路的缓冲与隔离。此外，其四通道集成结构有助于减少PCB面积和元件数量，适用于多通道数据采集系统、智能仪表和物联网（IoT）节点设备。在测试与测量仪器中，该运放可用作有源滤波器、电压跟随器或差分放大器，提升系统信噪比和测量精度。总体而言，任何要求低功耗、高精度和小型化的模拟信号链路均可考虑采用BU4S584G2-TR作为核心放大元件。
LMV844\NCS2004\TLV2464
