PMV28UNEA 时间：2025/9/15 2:09:00 阅读：12

PMV28UNEA是一款由Nexperia（安世半导体）生产的双通道功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），采用TSSOP10封装形式，适用于需要高效能和低功耗设计的电源管理系统。该器件集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET，支持双向负载开关和电池充电管理应用，广泛用于便携式电子产品、电源管理模块和电池供电设备。

参数

类型：双通道MOSFET
　　沟道类型：P沟道 + N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：P沟道：-4A，N沟道：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：P沟道：45mΩ，N沟道：30mΩ
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSSOP10

特性

PMV28UNEA具有优异的导通性能和快速响应能力，适用于高效能电源管理应用。
　　其双通道结构集成了P沟道和N沟道MOSFET，减少了外围电路的复杂性，提高了系统的集成度和可靠性。
　　该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高能效。
　　在高电流应用中，PMV28UNEA能够有效控制温升，确保稳定运行。
　　此外，PMV28UNEA具备良好的热稳定性和抗静电能力，能够在复杂的工作环境中保持性能稳定。
　　其TSSOP10封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局和自动化生产，适合高密度电子产品的设计需求。

应用

PMV28UNEA主要应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。
　　该器件可用于设计双向负载开关、电池充放电管理电路以及低电压直流-直流转换器。
　　在工业控制和通信设备中，PMV28UNEA也可用于实现高效的功率控制和分配。
　　此外，由于其低导通电阻和高集成度，该器件适用于需要高效能和低功耗设计的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。