时间：2025/4/28 12:39:29
阅读：4
RB060M-60TR 是一款基于硅 carbide (SiC) 技术的 MOSFET 器件，设计用于高效率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等领域。
其封装形式为 TO-247-3，具有出色的散热性能和电气稳定性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：60A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：130pF
开关频率：高达 100kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RB060M-60TR 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：支持最高 650V 的漏源电压，能够应对高压应用场景。
2. 超低导通电阻：仅为 1.8mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。
3. 快速开关速度：得益于 SiC 材料的优异性能，器件具有较低的开关损耗和更快的开关时间。
4. 高温适应性：可在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内稳定运行，适用于恶劣环境。
5. 稳定的电气性能：在高频条件下依然保持低噪声和良好的动态特性。
6. 强大的封装结构：TO-247-3 封装提供卓越的散热能力和机械强度。
RB060M-60TR 广泛应用于需要高效功率转换的场景，具体包括：
1. 工业电源设备：如不间断电源（UPS）、焊接机等。
2. 太阳能逆变器：用于将直流电转化为交流电，提高能源利用率。
3. 电动车充电基础设施：如快速充电桩，支持大电流输出。
4. 电机驱动系统：用于高性能伺服驱动和变频控制。
5. 高频 DC-DC 变换器：实现紧凑型、高效的电力传输解决方案。
RB060M3S-60T, CSD18566KCS, FCH068N65SBD
