时间：2025/8/19 11:00:42
阅读：31
MA700BGQ 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。MA700BGQ 特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源分配系统等场景。
类型：MOSFET（N沟道）
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP8
MA700BGQ MOSFET采用先进的沟槽栅极技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极电压下可低至23mΩ，从而显著降低功率损耗并提高效率。此外，该器件的漏极电流能力高达16A，使其能够在高功率密度的电源设计中稳定工作。
该MOSFET具有较高的热稳定性，能够承受较高的工作温度，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下的可靠运行。此外，MA700BGQ具备优良的开关特性，具有快速的导通和关断响应时间，减少了开关损耗，在高频应用中表现出色。
其栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，兼容常见的栅极驱动器设计。同时，器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于进一步降低驱动损耗，提高整体系统的能效。这种综合性能使其非常适合用于同步整流、负载开关、马达控制和电池供电设备中的功率管理电路。
MA700BGQ 主要应用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备、服务器电源系统以及工业自动化控制系统。此外，该器件也可用于电动工具、无人机和储能系统等对功率效率和散热性能有较高要求的应用场景。
Si2302DS, AO4406A, IRF7409, FDS6675
