STW20N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高功率和高效率应用设计,广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等场景。STW20N65M5采用了先进的技术,具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和出色的热性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):650V
漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):0.185Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs):±20V
功耗(Ptot):42W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247
STW20N65M5具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,增强了系统的可靠性。
其次,STW20N65M5采用了先进的封装技术,提供良好的热管理和散热性能。这使得MOSFET能够在高负载条件下保持较低的温度,从而延长了器件的使用寿命。
再者,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关应用。其快速的开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统效率。此外,STW20N65M5还具备良好的抗短路能力,能够在异常工作条件下保护电路。
最后,该器件符合RoHS环保标准,适用于各种工业和消费类电子产品。
STW20N65M5广泛应用于多个领域,包括但不限于:
在开关电源(SMPS)中,该器件用于高效能电源转换,提供稳定的电压和电流输出。
在DC-DC转换器中,STW20N65M5的低导通电阻和高开关速度使其成为理想的功率开关元件。
在电机控制和驱动电路中,该MOSFET用于控制电机的速度和方向,提供高效能的驱动能力。
此外,STW20N65M5还适用于逆变器、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等高功率应用。
该器件也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及家电产品中的电源管理模块。
STW25N65M5, STW20N65DM2