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STW20N65M5 发布时间 时间:2025/7/22 7:49:25 查看 阅读:3

STW20N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高功率和高效率应用设计,广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等场景。STW20N65M5采用了先进的技术,具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和出色的热性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):0.185Ω @ Vgs=10V
  栅极电压(Vgs):±20V
  功耗(Ptot):42W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

STW20N65M5具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。此外,该器件具有高雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,增强了系统的可靠性。
  其次,STW20N65M5采用了先进的封装技术,提供良好的热管理和散热性能。这使得MOSFET能够在高负载条件下保持较低的温度,从而延长了器件的使用寿命。
  再者,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关应用。其快速的开关特性减少了开关损耗,提高了整体系统效率。此外,STW20N65M5还具备良好的抗短路能力,能够在异常工作条件下保护电路。
  最后,该器件符合RoHS环保标准,适用于各种工业和消费类电子产品。

应用

STW20N65M5广泛应用于多个领域,包括但不限于:
  在开关电源(SMPS)中,该器件用于高效能电源转换,提供稳定的电压和电流输出。
  在DC-DC转换器中,STW20N65M5的低导通电阻和高开关速度使其成为理想的功率开关元件。
  在电机控制和驱动电路中,该MOSFET用于控制电机的速度和方向,提供高效能的驱动能力。
  此外,STW20N65M5还适用于逆变器、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等高功率应用。
  该器件也常用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及家电产品中的电源管理模块。

替代型号

STW25N65M5, STW20N65DM2

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STW20N65M5参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列MDmesh? V
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)190 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1345 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3