AUIRFR5505TR 时间：2025/7/9 21:13:00 阅读：12

AUIRFR5505TR 是一款专为汽车级应用设计的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具备高可靠性、低导通电阻和出色的热性能，非常适合用于高功率密度的应用场景。其主要特点包括耐高压能力（650V）、超低导通电阻（4.8mΩ）以及优化的开关性能，能够显著提升系统效率并减少功率损耗。
　　这款 MOSFET 广泛应用于车载电源管理系统、DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等场景中，特别适合需要高性能和高可靠性的汽车电子应用。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：189A
　　导通电阻：4.8mΩ
　　栅极电荷：37nC
　　输入电容：2660pF
　　反向恢复时间：80ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

AUIRFR5505TR 的主要特性包括：
　　1. 高额定电压 (650V)，适用于各种高电压环境。
　　2. 极低的导通电阻 (4.8mΩ)，可有效降低功率损耗。
　　3. 优化的开关性能，具有较低的栅极电荷和反向恢复时间，从而提升整体效率。
　　4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛的汽车环境下稳定运行。
　　5. 采用 TOLL 封装，提供卓越的散热性能和紧凑的设计，适合高功率密度的应用。
　　6. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，能够在极端条件下保持性能。
　　7. 环保无铅设计，符合 RoHS 标准。

应用

AUIRFR5505TR 主要应用于以下领域：
　　1. 汽车电子：包括车载充电器、DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等。
　　2. 工业控制：如工业电源、不间断电源 (UPS) 和光伏逆变器。
　　3. 通信设备：用于基站电源和其他高功率通信系统。
　　4. 高效电源管理：支持服务器和数据中心中的高效率电源解决方案。
　　5. 其他需要高性能 MOSFET 的应用，例如大功率 LED 驱动和电池管理系统 (BMS)。