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SPA20N65C3 发布时间 时间:2025/5/13 11:38:14 查看 阅读:3

SPA20N65C3是来自Semikron的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块。该模块专为高频开关应用而设计,适用于工业电源、变频器、太阳能逆变器等高功率场合。其采用优化的芯片技术和封装工艺,具备低导通损耗和开关损耗的特点,同时拥有良好的热性能和电气性能。

参数

集电极-发射极饱和电压:1.8V@20A,650V
  栅极-发射极开启电压:12V~15V
  最大集电极电流:20A
  最大集电极-发射极电压:650V
  最大栅极-发射极电压:±20V
  工作结温范围:-40℃~150℃
  热阻:1.2K/W

特性

SPA20N65C3采用了先进的沟槽式结构IGBT技术,大幅降低了导通电阻和开关损耗。
  该器件具有高效率和高可靠性的特点,适合在高频和大功率条件下运行。
  其优化的短路耐受能力确保了在异常工况下的安全性。
  此外,它还具备较低的栅极驱动需求,简化了驱动电路的设计。
  模块封装设计紧凑,便于安装和散热管理。

应用

SPA20N65C3广泛应用于各种工业和商业场景中,包括但不限于:
  1. 工业变频器和伺服驱动系统
  2. 太阳能逆变器和风力发电系统
  3. 不间断电源(UPS)系统
  4. 电动车充电设备
  5. 焊接设备及感应加热装置
  6. 高频开关电源等

替代型号

SKM20GB12E, IRG4PC20KD

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SPA20N65C3参数

  • 数据列表SP(P,I,A)20N65C3
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 13.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs114nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大34.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000216362SPA20N65C3INSPA20N65C3XK