CY7C263-35WMB 时间：2025/11/4 4:30:38 阅读：11

CY7C263-35WMB 是由 Cypress Semiconductor（现属于 Infineon Technologies）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于高性能的 16K x 8 位 CMOS SRAM 系列，采用标准的 28 引脚 DIP 或 SOIC 封装，广泛应用于需要快速数据存取和可靠性的工业、通信和嵌入式系统中。CY7C263 系列以其高可靠性、低功耗特性和稳定的性能而著称，适用于在恶劣环境条件下运行的应用场景。该芯片支持宽电压工作范围，并具备 TTL 兼容输入输出电平，便于与多种微处理器和控制器接口连接。其内部结构采用先进的 CMOS 技术制造，能够在保持高速访问的同时有效降低动态和静态功耗，适合对电源效率有要求的设计。此外，CY7C263-35WMB 提供了较短的访问时间（典型值为 35ns），确保了在高频操作下的数据响应速度，是许多实时处理系统中的理想选择。该器件还具备三态输出控制功能，允许多个设备共享同一数据总线，从而提高了系统的集成度和灵活性。

参数

制造商：Infineon Technologies (原 Cypress)
　　系列：CY7C263
　　产品类型：SRAM
　　存储容量：128 Kbit
　　组织结构：16K x 8 位
　　访问时间：35 ns
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：28-DIP 或 28-SOIC
　　引脚数：28
　　最大读取电流：40 mA
　　待机电流：≤ 5 μA
　　三态输出：支持
　　写保护功能：无专用写保护引脚，通过控制信号实现写操作管理

特性

CY7C263-35WMB 具备多项关键特性，使其成为工业级和通信领域中广泛应用的高速 SRAM 解决方案之一。首先，其 35ns 的快速访问时间确保了在高频率总线操作下仍能保持稳定的数据吞吐能力，适用于需要频繁读写的实时控制系统，如网络交换设备、工业自动化控制器以及测试测量仪器等。该芯片采用 CMOS 工艺制造，在保证高速性能的同时显著降低了功耗，尤其是在待机模式下电流消耗可低至 5μA，有助于延长电池供电系统的使用寿命或减少整体热负荷。
　　其次，CY7C263-35WMB 支持全 TTL 电平兼容的输入输出接口，这使得它可以无缝连接到多种主流微处理器、DSP 和 FPGA 器件，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了物料成本。其三态输出结构允许将多个存储器或其他外设挂接在同一数据总线上，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三个控制信号精确管理读写时序，提升了系统的可扩展性与总线利用率。
　　再者，该器件具有出色的抗干扰能力和温度稳定性，工作温度范围覆盖 -40°C 至 +85°C，满足工业级应用需求，可在高温、潮湿或多尘环境中长期稳定运行。所有控制信号均经过优化设计，符合 JEDEC 标准的异步 SRAM 时序规范，确保与其他标准逻辑器件的良好互操作性。此外，封装形式包括 28 引脚 DIP 和表面贴装 SOIC，适应不同 PCB 设计需求，尤其适合需要手工焊接或自动化贴片生产的场合。最后，Cypress 长期提供该系列产品技术支持与生命周期管理，增强了客户在长期项目中的供应链信心。

应用

CY7C263-35WMB 被广泛应用于各类需要高速、可靠数据暂存的电子系统中。常见应用包括工业控制设备中的缓冲存储器，用于临时保存传感器数据或执行指令队列；在通信基础设施中，作为路由器、交换机或基站模块中的帧缓存或协议处理中间存储单元；此外，也常用于医疗设备、测试与测量仪器（如示波器、逻辑分析仪）中作为采样数据的高速暂存区。由于其 TTL 电平兼容性和简单的异步接口，该芯片非常适合用于基于 8 位或 16 位微控制器（如 8051、68HC11 或 C16x 系列）的嵌入式系统升级项目，用以扩展主控芯片的外部内存空间。在消费类高端设备或航空航天地面设备中，只要符合温度与可靠性要求，也可看到其身影。得益于其成熟的技术和稳定的供货历史，CY7C263-35WMB 经常出现在需要长期维护和支持的 Legacy 系统中。